+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
AOT1N60 TO220
Документация

Транзистор полевой AOT1N60 TO220

Артикул:100037
Нет в наличии
ПроизводительALPHA & OMEGA Semiconductor
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
Описание

Полевой N-канальный MOSFET-транзистор AOT1N60 от ALPHA & OMEGA Semiconductor. Выполнен в корпусе TO-220, рассчитан на низкое сопротивление затвора и малые времена переключения — типовые значения tr и tf не превышают 6,7 и 11,5 нс соответственно. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипN-Channel MOSFET
Макс. заряд затвора8nC
Тип. заряд затвора6.1nC
Rg max5.3Ω
Rg min2.8Ω
Rg typ3.5Ω
Макс. TF15ns
Tf тип.11.5ns
Макс. Tj150°C
Макс. TR8ns
Tr тип.6.7ns
Gfs тип.0.9S
КорпусTO-220
Qgd max4nC
Qgd тип.3.1nC
Qgs max2nC
Qgs тип.1.3nC
Qrr max0.76µC
Qrr тип.0.63µC
Макс. время обратного восстановления137ns
Trr тип.114ns
Макс. Vds600V
Vfd max1V
Vfd typ0.65V
Макс. Vgs±30V
Ciss max160pF
Ciss min100pF
Тип. Ciss130pF
Coss max17.5pF
Coss min11pF
Coss тип.14.5pF
Crss max2.2pF
Crss min1.4pF
Тип. Crss1.8pF
Тип монтажаTHT
Макс. Tstg150°C
Мин. Tstg-55°C
Ток стока импульсный4A
Pd derate0.3W/°C
Rthcs typ0.5°C/W
Rthja max65°C/W
Rthja typ55°C/W
Rthjc max3°C/W
Rthjc typ2°C/W
Td on max12ns
Td(вкл) тип.10ns
Pd макс. 25°C41.7W
Td off max25ns
Td(выкл) тип.20ns
Vgs порог макс.4.5V
Vgs порог мин.3V
Vgs(th) тип.4.1V
АртикулAOT1N60
Id avalanche1A
Vds max 150c700V
EAR повторяющийся15mJ
Dvdt peak diode5V/ns
Одиночный импульс EAS30mJ
Lead solder temp300°C
Ток стока непрерывный 25C1.3A
Rds on max vgs10v
Rds on typ vgs10v7.5Ω
Непрерывный ток 100°C0.9A