Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12А 18Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
542 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:542 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,63 |
| от 24 | 30,30 |
| от 48 | 28,13 |
| от 95 | 26,51 |
| от 189 | 25,04 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от A&O. Работает при напряжении до 40 В, выдерживает ток 12 А и мощность 18 Вт. Выпускается в компактном корпусе TO-252. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Rg tested | 100% |
| Uis tested | 100% |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | AOD454A |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 4.6Ω |
| Лавинный ток | 14A |
| Заряд сток-затвор | 1.6nC |
| Вх. емкость | 516pF to 650pF |
| Полный заряд затвора | 8.3nC to 10.8nC |
| Время нарастания | 3.6ns |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Выходная емкость | 82pF |
| Время спада | 6.6ns |
| Время задержки включения | 6.4ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 16.2ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Напр. диода | 0.76V to 1V |
| Gate threshold voltage | 1.7V to 3V |
| On state drain current | 40A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 25S |
| Power dissipation ta 25c | 2.5W |
| Power dissipation ta 70c | 1.6W |
| Power dissipation tc 25c | 37W |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Power dissipation tc 100c | 18W |
| Энергия лавины | 9.8mJ |
| Обратная проходная емкость | 43pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 40V 12A 18W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Continuous drain current tc 25c | 20A |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Body diode reverse recovery time | 18ns to 24ns |
| Continuous drain current tc 100c | 15A |
| Body diode reverse recovery charge | 10nC |
| Junction storage temperature range | -55 to 175°C |
| Maximum body diode continuous current | 2.5A |
| Zero gate voltage drain current tj 55c | 5µA |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 25°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 10v | 24mΩ to 30mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 30mΩ to 40mΩ |
| Thermal resistance junction case steady state | 4°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state | 50°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 10v tj 125c | 37mΩ to 46mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?