Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8А 12Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
398 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:398 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,74 |
| от 24 | 30,43 |
| от 47 | 28,24 |
| от 94 | 26,62 |
| от 187 | 25,15 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от производителя A&O. Работает при напряжении до 200 В, выдерживает ток 3.8 А и мощность 12 Вт, выпускается в компактном корпусе D-Pak (TO-252). Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tested | 100% UIS, 100% Rg |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench |
| Применение | inverter, load switching, general purpose |
| Channel type | N-channel |
| Корпус | D-Pak (TO-252) |
| Gate resistance | 5.5Ω |
| Avalanche energy | 6mJ |
| Лавинный ток | 3A |
| Заряд сток-затвор | 1.47nC |
| Вх. емкость | 170-215-260pF (min/typ/max) |
| Время нарастания | 3.3ns |
| Заряд затвор-исток | 1.42nC |
| Выходная емкость | 20-32-50pF |
| Время спада | 2.8ns |
| Время задержки включения | 6.3ns |
| Время задержки выключения | 10.5ns |
| Импульсный ток стока | 10A |
| Напр. диода | 0.8-1V |
| Gate threshold voltage | 3-5-6V (min/typ/max) |
| Power dissipation case | At tc 25c: 25W; At tc 100c: 12.5W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | At tc 25c: 3.8A; At tc 100c: 2.7A |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Прямая крутизна | 8.7S |
| Total gate charge qg 10v | 3.82nC |
| Power dissipation ambient | At ta 25c: 2.1W; At ta 70c: 1.3W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Total gate charge qg 4.5v | 0.92nC |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 3-7.2-15pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 3.8 A, 12 W |
| Body diode continuous current | 6A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200V (min) |
| Body diode reverse recovery time | 59ns |
| Static drain source on resistance | At vgs 10v id 3.8a: <0.7Ω; Typ at vgs 10v id 3.8a: 0.55Ω; At vgs 10v id 3.8a tj 125c: 1.1-1.32Ω |
| Body diode reverse recovery charge | 142nC |
| Тепл. сопр. переход-корпус | Max: 6°C/W; Typ: 4°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | T less 10s max: 30°C/W; T less 10s typ: 17.1°C/W; Steady state max: 60°C/W; Steady state typ: 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?