Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 25Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 759 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 759 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,77 |
| от 111 | 28,22 |
| от 222 | 26,19 |
| от 443 | 24,43 |
| от 885 | 23,24 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от A&O. Работает при напряжении до 40 В, выдерживает ток до 50 А и мощность 25 Вт. Выполнен в корпусе TO-252. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO252 (DPAK), TO-251A (IPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Rg tested | 100% |
| Технология | advanced trench |
| Uis tested | 100% |
| Описание | 40V N-Channel MOSFET |
| Артикул | AOD4184/AOI4184 |
| Gate resistance | 5Ω |
| Avalanche energy | 61mJ |
| Лавинный ток | 35A |
| Заряд сток-затвор | 6.4nC |
| Вх. емкость | 1800pF |
| Время нарастания | 17.2ns |
| Заряд затвор-исток | 4.5nC |
| Выходная емкость | 280pF |
| Время спада | 16.8ns |
| Время задержки включения | 6.4ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 29.6ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 120A |
| Напр. диода | 1V |
| Gate threshold voltage | 1.7V to 2.6V |
| On state drain current | 120A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 37S |
| Power dissipation ta 25c | 2.3W |
| Power dissipation ta 70c | 1.5W |
| Power dissipation tc 25c | 50W |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Power dissipation tc 100c | 25W |
| Total gate charge vgs 10v | 33nC |
| Total gate charge vgs 4 5v | 16nC |
| Обратная проходная емкость | 190pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 40V 50A 25W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Continuous drain current ta 25c | 12A |
| Continuous drain current ta 70c | 9.5A |
| Continuous drain current tc 25c | 50A |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Body diode reverse recovery time | 38ns |
| Continuous drain current tc 100c | 40A |
| Body diode reverse recovery charge | 34nC |
| Junction storage temperature range | -55 to 175°C |
| Maximum body diode continuous current | 20A |
| Zero gate voltage drain current tj 55c | 5µA |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 22°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 10v | 8mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 11mΩ |
| Thermal resistance junction case steady state | 3°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state | 55°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 10v tj 125c | 13mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?