Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
719 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:719 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 32 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,14 |
| от 93 | 19,93 |
| от 186 | 18,10 |
| от 372 | 16,71 |
| от 743 | 15,69 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от A&O. Компонент рассчитан на напряжение 40 В, ток до 12 А и мощность 25 Вт, выпускается в компактном корпусе TO-252. Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | 40V P-Channel MOSFET |
| Артикул | AOD413A |
| Channel type | P-Channel |
| Квалификация | 100% UIS Tested, 100% Rg Tested |
| Gate resistance | 14Ω |
| Green compliance | guaranteed green after data code 8X11 (Sep 1ST 2008) |
| Лавинный ток | -20A |
| Заряд сток-затвор | 3.5nC |
| Время нарастания | 8.4ns |
| Заряд затвор-исток | 3.8nC |
| Выходная емкость | 97pF |
| Время спада | 41.2ns |
| Время задержки включения | 6.2ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 44.8ns |
| Напряжение сток-исток | -40V |
| Импульсный ток стока | -30A |
| Входная емкость макс. | 1125pF |
| Тип. входная емкость | 900pF |
| On state drain current | -30A |
| Power dissipation ta25 | 2.5W |
| Power dissipation ta70 | 1.6W |
| Power dissipation tc25 | 50W |
| Power dissipation tc100 | 25W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 22S |
| Напр. диода макс. | -1V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.76V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.7V |
| Тип. пороговое Uзи | -2V |
| Энергия лавины | 20mJ |
| Total gate charge vgs10 max | 21nC |
| Total gate charge vgs10 typ | 16.2nC |
| Обратная проходная емкость | 68pF |
| Total gate charge vgs4 5 max | 9.4nC |
| Total gate charge vgs4 5 typ | 7.2nC |
| Описание (англ.) | P-MOS 40V, 12A, 25W |
| Continuous drain current tc25 | -12A |
| Continuous drain current tc100 | -12A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Body diode reverse recovery time | 21.2ns |
| Body diode reverse recovery charge | 13.8nC |
| Junction storage temperature range | -55 to 175°C |
| Zero gate voltage drain current tj55 | -5µA |
| Maximum body diode continuous current | -12A |
| Thermal resistance junction ambient 10s max | 25°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 10s typ | 16.7°C/W |
| Thermal resistance junction case steady max | 3°C/W |
| Thermal resistance junction case steady typ | 2°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady max | 50°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady typ | 40°C/W |
| Static drain source on resistance vgs10 id12 max | 44mΩ |
| Static drain source on resistance vgs10 id12 typ | 36mΩ |
| Static drain source on resistance vgs4 5 id8 max | 66mΩ |
| Static drain source on resistance vgs4 5 id8 typ | 52mΩ |
| Static drain source on resistance vgs10 id12 tj125 max | 65mΩ |
| Static drain source on resistance vgs10 id12 tj125 typ | 52mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?