Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 26А 30Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 387 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт45,26 ₽
Сумма905,20 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 387 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 45 — 41,53 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 905,20 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 394,80 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 905,20 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от A&O. Работает при напряжении до 60 В, выдерживает ток до 26 А и мощность 30 Вт, выпускается в компактном корпусе TO-252. Подходит для схем управления питанием и защиты от переполюсовки в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | ['TO-252 (DPAK)', 'TO-251A (IPAK)'] |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикулы | AOD409, AOI409 |
| Тип компонента | P-канальный MOSFET |
| Сопротивление затвора | 2 Ω typ, 2.4 Ω max |
| Энергия лавины | 34 mJ |
| Лавинный ток | -26A |
| Заряд сток-затвор | 10 nC |
| Вх. емкость | 2977 pF typ, 3600 pF max |
| Время нарастания | 14.5 ns |
| Заряд затвор-исток | 9 nC |
| Выходная емкость | 241 pF |
| Время спада | 15 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 38 ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -80A |
| Напр. диода | -0.73V typ, -1V max |
| On resistance at 125c | 53 mΩ |
| Total gate charge 10v | 44 nC typ, 54 nC max |
| Пороговое напряжение затвора | -1.2V to -2.4V |
| Ток стока во включенном состоянии | -80A |
| Total gate charge 4 5v | 22.2 nC typ, 28 nC max |
| Рассеиваемая мощность при Ta 25 °C | 2.5W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 1.6W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 25 °C | 60W |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 32 S |
| Power dissipation tc100c | 30W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Длительный ток стока 25°C | -26A |
| Обратная проходная емкость | 153 pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 60 V, 26 A, 30 W |
| Непрерывный ток стока 100°C | -18A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Время обратного восстановления диода | 40 ns typ, 50 ns max |
| Заряд обратного восстановления диода | 59 nC |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.9 °C/W typ, 2.5 °C/W max |
| Непрерывный ток диода исток-сток | -30A |
| Статическое сопротивление сток-исток, Vgs 10 В | 32 mΩ typ, 40 mΩ max |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 4,5 В | 43 mΩ typ, 55 mΩ max |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 10 с | 16.7 °C/W typ, 25 °C/W max |
| Тепловое сопротивление переход-среда, установившийся режим | 40 °C/W typ, 50 °C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?