Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
208 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:208 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 54 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,03 |
| от 52 | 12,33 |
| от 103 | 11,44 |
| от 206 | 10,42 |
| от 411 | 9,52 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от A&O. Компонент рассчитан на напряжение до 30 В, ток до 8 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SOIC8. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузок в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Rg tested | Да |
| Uis tested | Да |
| Описание | 30V Dual N-channel MOSFET |
| Артикул | AO4822A |
| Channel type | N-channel |
| Esd protected | Да |
| Gate resistance | 1.7Ω |
| Avalanche energy | 18mJ |
| Лавинный ток | 19A |
| Заряд сток-затвор | 5nC |
| Вх. емкость | 888pF |
| Время нарастания | 3.5ns |
| Заряд затвор-исток | 3nC |
| Количество каналов | 2 |
| Выходная емкость | 145pF |
| Время спада | 3.5ns |
| Время задержки включения | 5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 48A |
| Напр. диода | 1V |
| Мощн. рас. 25°C | 2W |
| Power dissipation 70c | 1.3W |
| Total gate charge 10v | 18nC |
| Gate threshold voltage | 1.2V to 2.4V |
| On state drain current | 48A |
| Total gate charge 4 5v | 9nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 30S |
| Gate body leakage current | 10µA |
| Длительный ток стока 25°C | 8A |
| Continuous drain current 70c | 6.5A |
| Обратная проходная емкость | 115pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 30V 8A 2W |
| Body diode continuous current | 2.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Body diode reverse recovery time | 10ns |
| Body diode reverse recovery charge | 22nC |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current 55c | 5µA |
| Static drain source on resistance 10v | 19mΩ |
| Static drain source on resistance 4 5v | 26mΩ |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 62.5°C/W |
| Static drain source on resistance 10v 125c | 25mΩ |
| Thermal resistance junction lead steady state | 40°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state | 90°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?