Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.9 А
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
6 877 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 877 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 76 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,20 |
| от 70 | 8,60 |
| от 140 | 7,89 |
| от 279 | 7,13 |
| от 557 | 6,51 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от HOTTECH. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток до 6.9 А, сопротивление открытого канала составляет 28 мОм. Выполнен в компактном корпусе SOP8. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.3g |
| Маркировка | 4812 |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | AO4812 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability classification 94V-0 |
| Размеры a макс. | 1.750mm |
| Мин. размер A | 1.350mm |
| Размеры b макс. | 0.510mm |
| Размер B мин. | 0.330mm |
| Размеры c макс. | 0.250mm |
| Размер C мин. | 0.170mm |
| Макс. размер D | 5.000mm |
| Мин. размер D | 4.800mm |
| Dimensions e bsc | 1.270mm |
| Размер E макс | 6.200mm |
| Размер E мин | 5.800mm |
| Dimensions l max | 1.270mm |
| Размер L мин | 0.400mm |
| Размер A1 макс | 0.250mm |
| Размер A1 мин | 0.100mm |
| Размер A2 макс | 1.550mm |
| Размер A2 мин | 1.350mm |
| Размер E1 макс | 4.000mm |
| Размер E1 мин | 3.800mm |
| Заряд сток-затвор | 3.2nC |
| Заряд затвор-исток | 1.82nC |
| Выходная емкость | 102pF |
| Gate resistance max | 3.6Ω |
| Gate resistance typ | 3Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55~+150°C |
| Угол наклона выводов макс | 8° |
| Угол наклона выводов мин | 0° |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Импульсный ток стока | 30A |
| Diode forward current | 3A |
| Входная емкость макс. | 820pF |
| Тип. входная емкость | 680pF |
| Turn on rise time max | 6.2ns |
| Turn on rise time typ | 4.1ns |
| On state drain current | 20A |
| Turn off fall time max | 7.5ns |
| Turn off fall time typ | 5.2ns |
| Время вкл. макс. | 7ns |
| Время задержки вкл. тип. | 4.6ns |
| Макс. время выключения | 30ns |
| Время задержки выкл. тип. | 20.6ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 5.5S |
| Power dissipation ta 25c | 2W |
| Power dissipation ta 70c | 1.44W |
| Напр. диода макс. | 1V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.76V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Total gate charge 10v max | 17nC |
| Total gate charge 10v typ | 13.84nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.9V |
| Total gate charge 4 5v max | 8.1nC |
| Total gate charge 4 5v typ | 6.74nC |
| Обратная проходная емкость | 77pF |
| Описание (англ.) | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 6.9A 28mOhm |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Continuous drain current ta 25c | 6.9A |
| Continuous drain current ta 70c | 5.8A |
| Zero gate voltage drain current | 1μA |
| Drain source on resistance 10v max | 28mΩ |
| Drain source on resistance 10v typ | 22.5mΩ |
| Drain source on resistance 4 5v max | 42mΩ |
| Drain source on resistance 4 5v typ | 34.5mΩ |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 40°C/W |
| Body diode reverse recovery time max | 20ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 16.5ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 10nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 7.8nC |
| Термосопротивление переход-среда | 110°C/W |
| Drain source on resistance 10v 125c max | 38mΩ |
| Drain source on resistance 10v 125c typ | 31.3mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?