Документация
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
У поставщика
ПроизводительAlpha & Omega
У поставщиков
39 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:39 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 134,55 |
| от 5 | 116,74 |
Описание
Транзистор AO4612 от Alpha & Omega — это сдвоенный N-канальный и P-канальный MOSFET в компактном корпусе SO-8. Работает при напряжении до 60 В, выдерживает ток до 4,5 А (N-канал) и 3,2 А (P-канал) при мощности 2 Вт. Отличается низким сопротивлением открытого канала — 56 мОм для N-канала и 105 мОм для P-канала. Подходит для схем управления питанием и преобразователей в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N channel | Rds on vgs 10v max: 56mΩ; Rds on vgs 4 5v max: 77mΩ; Импульсный ток стока: 20A; Входная емкость макс.: 540pF; Тип. входная емкость: 450pF; Power dissipation 25C: 2W; Power dissipation 70C: 1.28W; Turn on rise time typ: 2.3ns; Выходная емкость тип.: 60pF; Turn off fall time typ: 1.9ns; Время задержки вкл. тип.: 4.7ns; Напряжение затвор-исток макс.: ±20V; Время задержки выкл. тип.: 15.7ns; Макс. напряжение сток-исток: 60V; Total gate charge 10v max: 10.5nC; Total gate charge 10v typ: 8.5nC; Пороговое напряжение затвора макс.: 3V; Пороговое напряжение затвора мин.: 1V; Тип. пороговое Uзи: 2.1V; Total gate charge 4 5v max: 5.5nC; Total gate charge 4 5v typ: 4.3nC; Continuous drain current 25C: 4.5A; Continuous drain current 70C: 3.6A; Body diode forward voltage max: 1V; Body diode forward voltage typ: 0.74V; Обр. проходная емкость тип.: 25pF; Body diode continuous current max: 3A |
| P channel | Импульсный ток стока: -20A; Power dissipation 25C: 2W; Power dissipation 70C: 1.28W; Rds on vgs neg10v max: 105mΩ; Rds on vgs neg4 5v max: 135mΩ; Напряжение затвор-исток макс.: ±20V; Макс. напряжение сток-исток: -60V; Пороговое напряжение затвора макс.: -3V; Пороговое напряжение затвора мин.: -1V; Тип. пороговое Uзи: -2.1V; Continuous drain current 25C: -3.2A; Continuous drain current 70C: -2.6A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 2W |
| Описание | 60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | AO4612 |
| Channel type | N-channel and P-channel |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | N&P-канал |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 30V, 930pF @30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A, 3.2A |
| Thermal resistance junction to ambient 10s max | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s typ | 48°C/W |
| Thermal resistance junction to lead steady state max | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to lead steady state typ | 35°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 90°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state typ | 74°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5/3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?