Документация
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 60 В, -3.2 А/4.5 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 432 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 432 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 42,29 |
| от 92 | 38,95 |
| от 184 | 36,29 |
| от 368 | 33,98 |
| от 735 | 32,43 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов от A&O, N+P-канального типа. Рабочее напряжение 60 В, ток до -3.2 А и 4.5 А, мощность 2 Вт в компактном корпусе SOIC-8. Подходит для схем управления питанием и преобразователей в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Thermal | Диап. темп. хр.: -55°C to 150°C; Диапазон темп. перехода: -55°C to 150°C; Thermal resistance junction to ambient t le 10s: 62.5°C/W max, 48°C/W typ; Thermal resistance junction to lead steady state: 40°C/W max, 35°C/W typ; Thermal resistance junction to ambient steady state: 90°C/W max, 74°C/W typ |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO4612 |
| N channel | Время спада: 1.9ns typ, 4ns max; Время нарастания: 2.3ns typ, 4.5ns max; Rds on vgs 10v: ≤56mΩ; Gate resistance: 1.65Ω typ, 2Ω max; Rds on vgs 4 5v: ≤77mΩ; Заряд сток-затвор: 2.2nC; Вх. емкость: 450pF typ, 540pF max; Заряд затвор-исток: 1.6nC; Выходная емкость: 60pF; Rds on vgs 10v typ: 46mΩ; Время задержки включения: 4.7ns typ, 7ns max; Напряжение затвор-исток: ±20V; Rds on vgs 10v 125c: 79mΩ; Rds on vgs 4 5v typ: 64mΩ; Время задержки выключения: 15.7ns typ, 24ns max; Напряжение сток-исток: 60V; Импульсный ток стока: 20A; Напр. диода: 0.74V typ, 1V max; Мощн. рас. 25°C: 2W; Power dissipation 70c: 1.28W; Total gate charge 10v: 8.5nC typ, 10.5nC max; On state drain current: 20A; Total gate charge 4 5v: 4.3nC typ, 5.5nC max; Прямая крутизна: 11S; Gate body leakage current: 100nA; Пороговое напряжение затвора макс.: 3V; Пороговое напряжение затвора мин.: 1V; Тип. пороговое Uзи: 2.1V; Длительный ток стока 25°C: 4.5A; Continuous drain current 70c: 3.6A; Обратная проходная емкость: 25pF; Body diode continuous current: 3A; Zero gate voltage drain current: 1μA max, 5μA at 55°C; Body diode reverse recovery time: 27.5ns typ, 35ns max; Body diode reverse recovery charge: 32nC; Мин. напряжение сток-исток пробоя: 60V |
| P channel | Напряжение затвор-исток: ±20V; Напряжение сток-исток: -60V; Импульсный ток стока: -20A; Rds on vgs minus 10v: ≤105mΩ; Мощн. рас. 25°C: 2W; Power dissipation 70c: 1.28W; Rds on vgs minus 4 5v: ≤135mΩ; Gate body leakage current: ±100nA; Пороговое напряжение затвора макс.: -3V; Пороговое напряжение затвора мин.: -1V; Тип. пороговое Uзи: -2.1V; Длительный ток стока 25°C: -3.2A; Continuous drain current 70c: -2.6A; Zero gate voltage drain current: -1μA max, -5μA at 55°C; Мин. напряжение сток-исток пробоя: -60V |
| Кол-во выводов | 8 |
| Описание | 60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, N+P channel MOSFET pair |
| Конфигурация каналов | N-channel + P-channel |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 60V -3.2/4.5A 2W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?