Документация
Транзистор полевой AO4606 / SO-8
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
19 113 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:19 113 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 84 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,25 |
| от 408 | 7,21 |
| от 816 | 6,38 |
| от 1 631 | 5,70 |
| от 5 000 | 5,27 |
Описание
Транзистор полевой AO4606 от HOTTECH представляет собой сборку из двух MOSFET-транзисторов в корпусе SO-8. Компонент предназначен для применения в цепях управления питанием и преобразователях напряжения. Благодаря интеграции N-канального и P-канального транзисторов в одном корпусе, AO4606 позволяет экономить место на плате и упрощает разводку в компактных устройствах.
Технические характеристики
| Вес | 0.3 grams |
| Маркировка | 4606 |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO4606 |
| N channel | Gate resistance: 3.25~4.9Ω @ VDS=0V, f=1MHz; Avalanche energy: 5 mJ (L=0.1mH); Лавинный ток: 10A; Заряд сток-затвор: 1.3nC; Вх. емкость: 255~310pF @ VDS=15V, f=1MHz; Рассеиваемая мощность: Value: 2W; Condition: TA=25°C, Value: 1.3W; Condition: TA=70°C; Полный заряд затвора: Max: 3nC; Typ: 2.55nC; Condition: VGS=4.5V, VDS=15V, ID=5A, Max: 6nC; Typ: 5.2nC; Condition: VGS=10V, VDS=15V, ID=5A; Время нарастания: 2.5ns; Заряд затвор-исток: 0.85nC; Выходная емкость: 45~60pF @ VDS=15V, f=1MHz; Время спада: 3.5ns; Время задержки включения: 4.5ns; Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 14.5ns; Напряжение сток-исток: 30V; Импульсный ток стока: 26A; Diode forward current: 2.5A; Напр. диода: 0.76~1V @ IS=1A, VGS=0V; Gate threshold voltage: 1.0~2.5V (typ 1.5V) @ ID=250μA; On state drain current: 30A @ VDS=5V, VGS=10V; Continuous drain current: Value: 6A; Condition: TA=25°C, Value: 5A; Condition: TA=70°C; Прямая крутизна: 15S @ VDS=5V, ID=5A; Drain source on resistance: Max: 28mΩ; Typ: 19mΩ; Condition: VGS=10V, ID=5A, Max: 40mΩ; Typ: 26mΩ; Condition: VGS=4.5V, ID=3A; Обратная проходная емкость: 35~50pF @ VDS=15V, f=1MHz; Напряжение пробоя сток-исток: 30V (min) @ ID=250μA; Body diode reverse recovery time: 8.5~12ns @ IF=6A, dI/dt=100A/μs; Body diode reverse recovery charge: 2.2~3nC @ IF=6A, dI/dt=100A/μs |
| P channel | Gate resistance: 1.5~5Ω (typ 3.2Ω) @ VDS=0V, f=1MHz; Avalanche energy: 26 mJ (L=0.1mH); Лавинный ток: 23A; Заряд сток-затвор: 3.2nC; Вх. емкость: 760pF @ VDS=-15V, f=1MHz; Рассеиваемая мощность: Value: 2W; Condition: TA=25°C, Value: 1.3W; Condition: TA=70°C; Полный заряд затвора: Max: 8nC; Typ: 6.7nC; Condition: VGS=-4.5V, VDS=-15V, ID=-6.5A, Max: 16nC; Typ: 13.6nC; Condition: VGS=-10V, VDS=-15V, ID=-6.5A; Время нарастания: 6ns; Заряд затвор-исток: 2.5nC; Выходная емкость: 140pF @ VDS=-15V, f=1MHz; Время спада: 5ns; Время задержки включения: 8ns; Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 17ns; Напряжение сток-исток: -30V; Импульсный ток стока: -28A; Diode forward current: -2.5A; Напр. диода: -0.80~-1V @ IS=-1A, VGS=0V; Gate threshold voltage: -1.1~-2.2V (typ -1.5V) @ ID=-250μA; On state drain current: -30A @ VDS=-5V, VGS=-10V; Continuous drain current: Value: -7A; Condition: TA=25°C, Value: -6.5A; Condition: TA=70°C; Прямая крутизна: 18S @ VDS=-5V, ID=-6.5A; Drain source on resistance: Max: 28mΩ; Typ: 22mΩ; Condition: VGS=-10V, ID=-1A, Max: 40mΩ; Typ: 33mΩ; Condition: VGS=-4.5V, ID=-1A; Обратная проходная емкость: 95pF @ VDS=-15V, f=1MHz; Напряжение пробоя сток-исток: -30V (min) @ ID=-250μA; Body diode reverse recovery time: 15ns @ IF=-6.5A, dI/dt=100A/μs; Body diode reverse recovery charge: 9.7nC @ IF=-6.5A, dI/dt=100A/μs |
| Описание | Complementary MOSFET (N-Channel and P-Channel) |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Темп. диапазон | Storage: -55~150°C; Junction max: 150°C |
| Тепловое сопротивление | Junction to lead: 32°C/W; Junction to ambient: 74°C/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | COMPLEMENTARY MOSFET 30V -6.5/6A 2W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?