Документация
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6 А/6.5 А, 2.5 Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
930 шт.
Норм. уп.: 1200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:930 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1200
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,80 |
| от 25 | 26,73 |
| от 50 | 24,78 |
| от 100 | 23,33 |
| от 199 | 22,01 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов от A&O, N+P-канальная. Рабочее напряжение 35 В, ток до -6 А и 6.5 А, мощность 2.5 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе SO-8. Подходит для схем управления питанием в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| N tf | 3.5ns |
| N tr | 2.5ns |
| N qgd | 1.3nC |
| N qgs | 0.85nC |
| P ciss | 760pF |
| P coss | 140pF |
| P crss | 95pF |
| N td on | 4.5ns |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N is max | 2.5A |
| N rg max | 3.25Ω |
| N rg typ | 1.6Ω |
| N td off | 14.5ns |
| P is max | -2.5A |
| P rg max | 3.2Ω |
| P rg typ | 1.5Ω |
| N gfs min | 15S |
| N qrr max | 3nC |
| N qrr typ | 2.2nC |
| N trr max | 12ns |
| N trr typ | 8.5ns |
| N vsd max | 1V |
| N vsd typ | 0.76V |
| P gfs min | 18S |
| P vsd max | -1V |
| P vsd typ | -0.8V |
| Кол-во выводов | 8 |
| N ciss max | 255pF |
| N ciss typ | 200pF |
| N coss max | 45pF |
| N coss typ | 30pF |
| N crss max | 35pF |
| N crss typ | 20pF |
| N igss max | ±100nA |
| P igss max | ±100nA |
| Описание | 30V Complementary MOSFET |
| N id on min | 30A |
| P id on min | -30A |
| Артикул | AO4606 |
| Channel type | N-Channel and P-Channel |
| N bv dss min | 30V |
| N qg 10v max | 5.2nC |
| N qg 10v typ | 4nC |
| N vgs th max | 2.4V |
| N vgs th min | 1.2V |
| N vgs th typ | 1.8V |
| P bv dss min | -30V |
| P qg 10v max | 16nC |
| P qg 10v typ | 13.6nC |
| P vgs th max | -2.4V |
| P vgs th min | -1.3V |
| P vgs th typ | -1.85V |
| N qg 4 5v max | 2.55nC |
| N qg 4 5v typ | 2nC |
| P qg 4 5v max | 8nC |
| P qg 4 5v typ | 6.7nC |
| N idss max 25c | 1µA |
| N idss max 55c | 5µA |
| P idss max 25c | -1µA |
| P idss max 55c | -5µA |
| N rds on 10v max | 30mΩ |
| N rds on 10v typ | 25mΩ |
| P rds on 10v max | 28mΩ |
| P rds on 10v typ | 22mΩ |
| N rds on 4 5v max | 42mΩ |
| N rds on 4 5v typ | 33.5mΩ |
| P rds on 4 5v max | 44mΩ |
| P rds on 4 5v typ | 34mΩ |
| Avalanche energy n | 5mJ |
| Avalanche energy p | 26mJ |
| Avalanche current n | 10A |
| Avalanche current p | 23A |
| Gate source voltage n | ±20V |
| Gate source voltage p | ±20V |
| N rds on 10v 125c max | 48mΩ |
| N rds on 10v 125c typ | 40mΩ |
| P rds on 10v 125c max | 40mΩ |
| P rds on 10v 125c typ | 32mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 2W |
| Power dissipation 70c | 1.3W |
| Drain source voltage n | 30V |
| Drain source voltage p | -30V |
| Pulsed drain current n | 30A |
| Pulsed drain current p | -30A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Junction storage temp max | 150°C |
| Junction storage temp min | -55°C |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 35V -6/6.5A 2.5W |
| Continuous drain current n 25c | 6A |
| Continuous drain current n 70c | 5A |
| Continuous drain current p 25c | -6.5A |
| Continuous drain current p 70c | -5.3A |
| Thermal resistance junction lead max | 40°C/W |
| Thermal resistance junction lead typ | 32°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 10s max | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 10s typ | 48°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady max | 90°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady typ | 74°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?