Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
164 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:164 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 26 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,62 |
| от 26 | 25,69 |
| от 52 | 24,41 |
| от 104 | 22,68 |
| от 208 | 20,87 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от A&O. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 18 А и мощность рассеивания 2 Вт. Выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | N-Channel MOSFET |
| Rds on vgs 10v | 5.5mΩ |
| Gate resistance | 2.1Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 7.5mΩ |
| Avalanche energy | 88mJ |
| Current avalanche | 42A |
| Заряд сток-затвор | 11nC |
| Вх. емкость | 2300pF |
| Рассеиваемая мощность | 3.1W |
| Время нарастания | 8.6ns |
| Заряд затвор-исток | 4.8nC |
| Выходная емкость | 316pF |
| Rds on max vgs 10v | 5.5mΩ |
| Время спада | 8ns |
| Время задержки включения | 8.1ns |
| Rds on max vgs 4 5v | 7.5mΩ |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Voltage gate source | ±20V |
| Current pulsed drain | 140A |
| Voltage drain source | 30V |
| Power dissipation 70c | 2W |
| Total gate charge 10v | 44.5nC |
| On state drain current | 140A |
| Total gate charge 4 5v | 18nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Current continuous drain | 18A |
| Прямая крутизна | 53S |
| Gate body leakage current | 100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Body diode forward voltage | 1V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 227pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 18A 2W |
| Body diode continuous current | 4A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Zero gate voltage drain current | 1μA |
| Body diode reverse recovery time | 17ns |
| Thermal resistance junction lead | 24°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 40nC |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 40°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady | 75°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?