Документация
Транзистор полевой AO4468 / SO-8
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 440 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 440 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,86 |
| от 122 | 15,94 |
| от 243 | 14,35 |
| от 485 | 13,12 |
| от 969 | 12,24 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) AO4468 производства A&O. Выполнен в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Предназначен для коммутации нагрузки и управления питанием в цепях постоянного тока, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность переключения.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Rg tested | Да |
| Uis tested | Да |
| Описание | 30V N-Channel MOSFET |
| Артикул | AO4468 |
| Без галогенов | Да |
| Esd protected | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 0.5Ω typ, 1.1Ω typ, 1.7Ω max |
| Avalanche energy | 18mJ |
| Лавинный ток | 19A |
| Заряд сток-затвор | 3nC |
| Вх. емкость | 740pF typ, 888pF max |
| Рассеиваемая мощность | 3.1W (at 25°C), 2W (at 70°C) |
| Время нарастания | 3.5ns |
| Заряд затвор-исток | 2.5nC |
| Выходная емкость | 110pF typ, 145pF max |
| Время спада | 3.5ns |
| Время задержки включения | 5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 50A |
| Напр. диода | 0.75V typ, 1V max |
| Total gate charge 10v | 15nC |
| Gate threshold voltage | 1.2V min, 1.8V typ, 2.4V max |
| On state drain current | 50A |
| Total gate charge 4 5v | 7.5nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 10.5A (at 25°C), 8.5A (at 70°C) |
| Прямая крутизна | 36S |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 82pF typ, 115pF max |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 11.6A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA (max), 5µA at 55°C |
| Body diode reverse recovery time | 18ns typ, 22ns max |
| Thermal resistance junction lead | 24°C/W (max) |
| Static drain source on resistance | 14mΩ typ, 17mΩ max (at Vgs=10V, Id=10.5A); 20mΩ typ, 24mΩ max at 125°C; 18mΩ typ, 23mΩ max (at Vgs=4.5V, Id=9A) |
| Body diode reverse recovery charge | 9nC typ, 12nC max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W (max, ≤10s), 75°C/W (steady-state) |
| Maximum body diode continuous current | 4A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?