+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
AO4435
Документация

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт

Артикул:777159
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 608 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 608 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 44 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 115,69
от 12414,00
от 24712,59
от 49311,51
от 98510,72
Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от A&O. Выдерживает напряжение до 30 В и постоянный ток до 10.5 А при мощности 2 Вт, корпус SOIC-8 для поверхностного монтажа. Отличается низким сопротивлением открытого канала (от 14 мОм) и высокой импульсной нагрузкой до 80 А. Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной и бытовой электронике.

Технические характеристики
КорпусSOIC-8
Макс. Vds30V
Макс. Vgs±25V
Тип монтажаSMD
Ток стока импульсный80A
Rg testedДа
Uis testedДа
Тип устройстваP-Channel MOSFET
Без галогеновДа
Rds on vgs5v36mΩ max
Тип. время спада7ns
Rds on vgs10v18mΩ max
Rds on vgs20v14mΩ max
Тип. время нарастания8.5ns
Соотв. RoHSДа
Avalanche energy60mJ
Лавинный ток20A
Ток стока непрерывный 25C10.5A
Непрерывный ток стока 70°C8A
Темп. диапазон-55 to 150°C
Turn on delay typ8.7ns
Макс. пороговое Vgs3V
Мин. пороговое Vgs1.7V
Turn off delay typ18ns
Gate resistance max
Входная емкость макс.1400pF
Мощн. рас. 25°C3.1W
Power dissipation 70c2.0W
Выходная емкость тип.240pF
Gate charge total vgs10v max24nC
Body diode continuous current3.5A
Body diode forward voltage typ0.74V
Обр. проходная емкость тип.155pF
Body diode reverse recovery time max30ns
Body diode reverse recovery charge typ12nC
Thermal resistance junction to ambient 10s40°C/W max
Thermal resistance junction to ambient steady state75°C/W max