Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 500 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 42 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,69 |
| от 124 | 14,88 |
| от 247 | 13,39 |
| от 493 | 12,24 |
| от 985 | 11,40 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от A&O. Выдерживает напряжение до 30 В и постоянный ток до 10.5 А при мощности 2 Вт, корпус SOIC-8 для поверхностного монтажа. Отличается низким сопротивлением открытого канала (от 14 мОм) и высокой импульсной нагрузкой до 80 А. Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Channel | P |
| Корпус | SOIC-8 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Особенности | RoHS compliant, Halogen Free, 100% UIS tested, 100% Rg tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO4435 |
| Ток стока импульсный | 80A |
| Кол-во выводов | 8 |
| Rg tested | Да |
| Технология | Trench |
| Uis tested | Да |
| Описание | P-Channel MOSFET |
| Тип устройства | P-Channel MOSFET |
| Применение | load switch, PWM applications |
| Без галогенов | Да |
| Rds on vgs5v | 36mΩ max |
| Тип. время спада | 7ns |
| Rds on vgs10v | 18mΩ max |
| Rds on vgs20v | 14mΩ max |
| Тип. время нарастания | 8.5ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | Max: 8Ω; Min: 1Ω; Typ: 5.8Ω |
| Avalanche energy | 60mJ |
| Лавинный ток | 20A |
| Заряд сток-затвор | 3.3nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 10.5A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 8A |
| Вх. емкость | Max: 1400pF; Typ: 1130pF |
| Темп. диапазон | -55 to 150°C |
| Turn on delay typ | 8.7ns |
| Время нарастания | 8.5ns |
| Макс. пороговое Vgs | 3V |
| Мин. пороговое Vgs | 1.7V |
| Заряд затвор-исток | 5.5nC |
| Выходная емкость | 240pF |
| Turn off delay typ | 18ns |
| Время спада | 7ns |
| Время задержки включения | 8.7ns |
| Gate resistance max | 8Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 18ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -80A |
| Напр. диода | Max: -1V; Typ: -0.74V |
| Входная емкость макс. | 1400pF |
| Мощн. рас. 25°C | 3.1W |
| Power dissipation 70c | 2.0W |
| Total gate charge 10v | Max: 24nC; Typ: 18nC |
| On state drain current | -80A |
| Выходная емкость тип. | 240pF |
| Total gate charge 4 5v | 9.5nC |
| Прямая крутизна | 22S |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.7V |
| Тип. пороговое Uзи | -2.3V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Test frequency capacitance | 1MHz |
| Avalanche energy inductance | 0.3mH |
| Энергия лавины | 60mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -10.5A |
| Continuous drain current 70c | -8A |
| Gate charge total vgs10v max | 24nC |
| Обратная проходная емкость | 155pF |
| Body diode continuous current | 3.5A |
| Body diode forward voltage typ | 0.74V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Rds on vgs minus 5v id minus 5a | Max: 36mΩ; Typ: 27mΩ |
| Zero gate voltage drain current | -1uA |
| Body diode reverse recovery time | Max: 30ns; Typ: 25ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 155pF |
| Rds on vgs minus 10v id minus 10a | Max: 18mΩ; Typ: 15mΩ |
| Rds on vgs minus 20v id minus 11a | Max: 14mΩ; Typ: 11mΩ |
| Body diode reverse recovery charge | 12nC |
| Zero gate voltage drain current 55c | -5uA |
| Body diode reverse recovery time max | 30ns |
| Maximum body diode continuous current | -3.5A |
| Body diode reverse recovery charge typ | 12nC |
| Rds on vgs minus 20v id minus 11a 125c | Max: 19mΩ; Typ: 15mΩ |
| Thermal resistance junction ambient 10s | Max: 40°C/W; Typ: 32°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s | 40°C/W max |
| Thermal resistance junction lead steady state | Max: 24°C/W; Typ: 17°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state | Max: 75°C/W; Typ: 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state | 75°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?