Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17А 2Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
387 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:387 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,43 |
| от 20 | 36,77 |
| от 40 | 34,24 |
| от 100 | 32,37 |
| от 200 | 30,67 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от производителя A&O. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 17 А и мощность рассеивания 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SOIC-8. Подходит для схем управления питанием и защиты от переполюсовки в портативной и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Rg tested | 100% |
| Uis tested | 100% |
| Описание | 30V P-Channel MOSFET |
| Артикул | AO4423/AO4423L |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Esd protected | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 14nC |
| Время нарастания | 8ns |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 583pF |
| Время спада | 87ns |
| Время задержки включения | 12ns |
| Gate resistance max | 4.3Ω |
| Gate resistance typ | 2.1Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 54ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -182A |
| Входная емкость макс. | 3033pF |
| Тип. входная емкость | 2527pF |
| Rds on vgs6 id10a max | 9.5mΩ |
| Rds on vgs6 id10a typ | 7.5mΩ |
| Заряд затвора макс. | 57nC |
| Тип. заряд затвора | 47nC |
| On state drain current | -182A |
| Power dissipation tc25 | 3.1W |
| Power dissipation tc70 | 2W |
| Rds on vgs10 id15a max | 7.2mΩ |
| Rds on vgs10 id15a typ | 5.9mΩ |
| Rds on vgs20 id15a max | 6.2mΩ |
| Rds on vgs20 id15a typ | 5.1mΩ |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 48S |
| Напр. диода макс. | -1V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.71V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.5V |
| Тип. пороговое Uзи | -2.1V |
| Junction storage temp range | -55 to 150°C |
| Rds on vgs20 id15a tj125 max | 9mΩ |
| Rds on vgs20 id15a tj125 typ | 7.4mΩ |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 17 A, 2 W |
| Body diode continuous current | -4.2A |
| Continuous drain current tc25 | -17A |
| Continuous drain current tc70 | -14A |
| Thermal resistance ja 10s max | 40°C/W |
| Thermal resistance ja 10s typ | 26°C/W |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Gate body leakage current vgs20 | ±1µA |
| Gate body leakage current vgs25 | ±10µA |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Reverse transfer capacitance max | 556pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 397pF |
| Thermal resistance ja steady max | 75°C/W |
| Thermal resistance ja steady typ | 50°C/W |
| Thermal resistance jl steady max | 24°C/W |
| Thermal resistance jl steady typ | 14°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 12.3nC |
| Body diode reverse recovery time max | 32ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 26.1ns |
| Zero gate voltage drain current tj55 | -5µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?