Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 796 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 796 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,61 |
| от 130 | 23,39 |
| от 259 | 21,63 |
| от 517 | 20,10 |
| от 1 034 | 19,08 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от A&O. Работает при напряжении до 30 В и токе до 12 А, выпускается в компактном корпусе SOIC-8. Подходит для управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | advanced trench technology |
| Описание | 30V P-Channel MOSFET |
| Артикул | AO4407A |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 2.4Ω typ, 3.6Ω max |
| Лавинный ток | -26A |
| Заряд сток-затвор | 10nC |
| Вх. емкость | 2060pF typ, 2600pF max |
| Полный заряд затвора | 30nC typ, 39nC max |
| Время нарастания | 9.4ns |
| Заряд затвор-исток | 4.6nC |
| Выходная емкость | 370pF |
| Время спада | 12ns |
| Время задержки включения | 11ns |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 24ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -60A |
| 100 percent rg tested | Да |
| Напр. диода | -0.7V typ, -1V max |
| Мощн. рас. 25°C | 3.1W |
| Power dissipation 70c | 2.0W |
| 100 percent uis tested | Да |
| Gate threshold voltage | -1.7V to -3V |
| On state drain current | -60A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | -12A |
| Прямая крутизна | 21S |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Энергия лавины | 101mJ |
| Continuous drain current 70c | -10A |
| Обратная проходная емкость | 295pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 12 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Body diode reverse recovery time | 30ns typ, 40ns max |
| Thermal resistance junction lead | 17°C/W typ, 24°C/W max |
| Body diode reverse recovery charge | 22nC |
| Zero gate voltage drain current 55c | -5µA |
| Static drain source on resistance 6v | 12.7mΩ typ, 17mΩ max |
| Maximum body diode continuous current | -3A |
| Static drain source on resistance 10v | 10mΩ typ, 13mΩ max |
| Static drain source on resistance 20v | 8.5mΩ typ, 11mΩ max |
| Thermal resistance junction ambient t10s | 32°C/W typ, 40°C/W max |
| Static drain source on resistance 20v 125c | 11.5mΩ typ, 15mΩ max |
| Thermal resistance junction ambient steady | 60°C/W typ, 75°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?