Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.1A 3-Pin SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
17 978 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:17 978 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 82 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,58 |
| от 123 | 7,99 |
| от 246 | 7,35 |
| от 491 | 6,70 |
| от 982 | 6,22 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный MOSFET от HOTTECH. Работает при напряжении до 55 В и токе до 2,1 А, выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Вес | 0.008 grams |
| Маркировка | MS10 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Low Voltage MOSFET (N-Channel) |
| Артикул | AO3422 |
| Gate resistance | 1.3Ω (typ), 3Ω (max) |
| Заряд сток-затвор | 0.8nC |
| Вх. емкость | 214pF (typ), 300pF (max) |
| Полный заряд затвора | 2.6nC (typ), 3.3nC (max) |
| Время нарастания | 2.4ns |
| Заряд затвор-исток | 0.6nC |
| Выходная емкость | 31pF |
| Размеры упаковки | A: 0.900-1.150mm; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm ref; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; Theta: 0°-8°; E pitch: 0.950mm typ; E1 pitch: 1.800-2.000mm |
| Время спада | 2ns |
| Время задержки включения | 2.3ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 16.5ns |
| Напряжение сток-исток | 55V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Импульсный ток стока | 10A |
| Diode forward current | 1A |
| Напр. диода | 0.78V (typ), 1V (max) |
| On state drain current | 10A |
| Power dissipation ta25 | 1.25W |
| Power dissipation ta70 | 0.8W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 11S |
| Tape and reel dimensions | Reel 7 inch: D: Ø178mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Carrier tape: A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; D: Ø1.50mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; W: 8.00mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.6V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.3V |
| Обратная проходная емкость | 12.6pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 55V 2.1A 3-Pin SOT-23 |
| Continuous drain current ta25 | 2.1A |
| Continuous drain current ta70 | 1.7A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 55V |
| Zero gate voltage drain current | 1uA |
| Body diode reverse recovery time | 20ns (typ), 30ns (max) |
| Drain source on resistance vgs10 | 80mΩ (typ), 105mΩ (max) |
| Drain source on resistance vgs4 5 | 90mΩ (typ), 125mΩ (max) |
| Body diode reverse recovery charge | 17nC |
| Термосопротивление переход-среда | 125°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?