Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.1A 3-Pin SOT-23
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 608 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 608 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 44 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,99 |
| от 137 | 14,20 |
| от 273 | 12,72 |
| от 546 | 11,59 |
| от 1 092 | 10,76 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный MOSFET от A&O. Работает при напряжении до 55 В и токе до 2,1 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO3422 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Gate resistance | 3Ω |
| Заряд сток-затвор | 0.8nC |
| Вх. емкость | 300pF |
| Полный заряд затвора | 3.3nC |
| Время нарастания | 2.4ns |
| Заряд затвор-исток | 0.6nC |
| Выходная емкость | 31pF |
| Время спада | 2ns |
| Время задержки включения | 2.3ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 16.5ns |
| Напряжение сток-исток | 55V |
| Импульсный ток стока | 10A |
| Напр. диода | 1V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Gate threshold voltage | 0.6V to 2V |
| On state drain current | 10A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 11S |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Длительный ток стока 25°C | 2.1A |
| Continuous drain current 70c | 1.7A |
| Обратная проходная емкость | 12.6pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 55V 2.1A 3-Pin SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 55V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Body diode reverse recovery time | 30ns |
| Body diode reverse recovery charge | 17nC |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current 55c | 5µA |
| Maximum body diode continuous current | 1A |
| Static drain source on resistance 2 5v | 200mΩ |
| Static drain source on resistance 4 5v | 160mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient 10s | 100°C/W |
| Static drain source on resistance 4 5v 125c | 210mΩ |
| Thermal resistance junction to lead steady state | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state | 150°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?