Документация
Транзистор полевой AO3418 SOT23
У поставщика
У поставщиков
771 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,71 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:771 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,71 |
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO3418 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Технология | Trench |
| Тип. время спада | 2.5ns |
| Тип. время нарастания | 1.5ns |
| Rds on 10v max | 55mΩ |
| Rds on 10v typ | 43mΩ |
| Rds on 2 5v max | 85mΩ |
| Rds on 2 5v typ | 59mΩ |
| Rds on 4 5v max | 65mΩ |
| Rds on 4 5v typ | 47mΩ |
| Импульсный ток стока | 15A |
| Входная емкость макс. | 285pF |
| Input capacitance min | 185pF |
| Тип. входная емкость | 235pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.4W |
| Power dissipation 70c | 0.9W |
| Макс. выходная емкость | 45pF |
| Output capacitance min | 25pF |
| Выходная емкость тип. | 35pF |
| Время задержки вкл. тип. | 3.5ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Время задержки выкл. тип. | 17.5ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total gate charge 10v max | 12nC |
| Total gate charge 10v typ | 10nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 1V |
| Total gate charge 4 5v typ | 4.7nC |
| Reverse recovery charge max | 3.5nC |
| Тип. заряд восст. | 2.6nC |
| Длительный ток стока 25°C | 3.8A |
| Continuous drain current 70c | 3.1A |
| Continuous drain current max | 3.8A |
| Body diode forward voltage max | 1V |
| Body diode forward voltage typ | 0.75V |
| Reverse transfer capacitance max | 25pF |
| Reverse transfer capacitance min | 10pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 18pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 30V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Body diode reverse recovery time max | 11ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 8.5ns |
| Thermal resistance junction to lead max | 80°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s max | 90°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 125°C/W |