Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5A
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 220 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 220 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,70 |
| от 182 | 10,27 |
| от 364 | 9,09 |
| от 728 | 8,17 |
| от 1 455 | 7,52 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от производителя A&O. Компонент рассчитан на напряжение 20 В и ток до 5 А, выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | advanced trench technology |
| Описание | 20V P-Channel MOSFET |
| Артикул | AO3415A |
| Esd protected | Да |
| Rds on vgs1 5 typ | 61mΩ |
| Rds on vgs1 8 max | 65mΩ |
| Rds on vgs1 8 typ | 52mΩ |
| Rds on vgs2 5 max | 53mΩ |
| Rds on vgs2 5 typ | 42mΩ |
| Rds on vgs4 5 max | 41mΩ |
| Rds on vgs4 5 typ | 34mΩ |
| Время нарастания | 9ns |
| Время спада | 29ns |
| Время задержки включения | 13ns |
| Gate resistance max | 13Ω |
| Gate resistance min | 20Ω |
| Gate resistance typ | 6Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Импульсный ток стока | -30A |
| Gate drain charge max | 2.2nC |
| Gate drain charge min | 3.1nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.3nC |
| Входная емкость макс. | 751pF |
| Input capacitance min | 905pF |
| Тип. входная емкость | 600pF |
| Заряд затвора макс. | 9.3nC |
| Total gate charge min | 11nC |
| Тип. заряд затвора | 7.4nC |
| Gate source charge max | 1nC |
| Gate source charge min | 1.2nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.8nC |
| On state drain current | -30A |
| Макс. выходная емкость | 115pF |
| Output capacitance min | 150pF |
| Выходная емкость тип. | 80pF |
| Power dissipation ta25 | 1.5W |
| Power dissipation ta70 | 1W |
| Rds on vgs4 5 tj125 max | 59mΩ |
| Rds on vgs4 5 tj125 typ | 49mΩ |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 20S |
| Напр. диода макс. | -1V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.64V |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.9V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.3V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.57V |
| Gate voltage operation min | 1.8V |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 |
| Body diode continuous current | -2A |
| Continuous drain current ta25 | -4A |
| Continuous drain current ta70 | -3.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Reverse transfer capacitance max | 80pF |
| Reverse transfer capacitance min | 115pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 48pF |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Body diode reverse recovery time max | 26ns |
| Body diode reverse recovery time min | 32ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 20ns |
| Zero gate voltage drain current tj55 | -5µA |
| Body diode reverse recovery charge max | 51nC |
| Body diode reverse recovery charge min | 62nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 40nC |
| Thermal resistance junction ambient 10s max | 80°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 10s typ | 65°C/W |
| Thermal resistance junction lead steady max | 52°C/W |
| Thermal resistance junction lead steady typ | 43°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady typ | 85°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?