Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
190 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,37 |
| от 63 | 32,19 |
| от 126 | 29,58 |
| от 251 | 27,60 |
| от 501 | 26,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от A&O. Работает при напряжении до 20 В и токе до 4 А, выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench |
| Описание | P-Channel MOSFET |
| Артикул | AO3415 |
| Channel type | P-channel |
| Корпус | SOT23-3 |
| Esd protected | Да |
| Тестовая частота | 1MHz |
| Gate resistance | 13Ω typ, 6Ω min, 20Ω max |
| Заряд сток-затвор | 2.2nC typ, 1.3nC min, 3.1nC max |
| Вх. емкость | 751pF typ, 600pF min, 905pF max |
| Полный заряд затвора | 9.3nC typ, 7.4nC min, 11nC max |
| Время нарастания | 9ns |
| Заряд затвор-исток | 1nC typ, 0.8nC min, 1.2nC max |
| Выходная емкость | 115pF typ, 80pF min, 150pF max |
| Время спада | 29ns |
| Время задержки включения | 13ns |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Импульсный ток стока | -30A |
| Напр. диода | -0.64V typ, -1V max |
| Мощн. рас. 25°C | 1.5W |
| Power dissipation 70c | 1W |
| Gate threshold voltage | -0.3V to -0.9V |
| On state drain current | -30A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 20S |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Длительный ток стока 25°C | -4A |
| Continuous drain current 70c | -3.5A |
| Обратная проходная емкость | 80pF typ, 48pF min, 115pF max |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| On resistance at 125c vgs 4 5v | 49mΩ typ, 59mΩ max |
| Body diode reverse recovery time | 26ns typ, 20ns min, 32ns max |
| Body diode reverse recovery charge | 51nC typ, 40nC min, 62nC max |
| Zero gate voltage drain current 25c | max -1µA |
| Zero gate voltage drain current 55c | max -5µA |
| Maximum body diode continuous current | -2A |
| Thermal resistance junction ambient t 10s | 65°C/W typ, 80°C/W max |
| Static drain source on resistance vgs 1 5v | 61mΩ typ |
| Static drain source on resistance vgs 1 8v | 52mΩ typ, 65mΩ max |
| Static drain source on resistance vgs 2 5v | 42mΩ typ, 53mΩ max |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 34mΩ typ, 41mΩ max |
| Thermal resistance junction lead steady state | 43°C/W typ, 52°C/W max |
| Thermal resistance junction ambient steady state | 85°C/W typ, 100°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?