Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1А 0.9Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
7 350 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 350 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 52 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,74 |
| от 149 | 12,18 |
| от 297 | 10,87 |
| от 593 | 9,87 |
| от 1 186 | 9,14 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от A&O. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает ток до 4.1 А и мощность 0.9 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для схем управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Полярность | P-Channel |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Gate resistance | 7.5Ω typ |
| Заряд сток-затвор | 2.2nC |
| Вх. емкость | 520pF |
| Время нарастания | 5.5ns |
| Заряд затвор-исток | 1.6nC |
| Выходная емкость | 100pF |
| Время спада | 7ns |
| Время задержки включения | 7.5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Voltage drain source | 30V |
| Напр. диода | -0.7V typ |
| Время обратного восстановления | 11ns |
| Gate threshold voltage | -1.4 to -2.4V |
| Заряд обратного восстановления | 5.3nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10S |
| Power dissipation at 25c | 1.4W |
| Power dissipation at 70c | 0.9W |
| Total gate charge at 10v | 11nC max |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total gate charge at 4.5v | 6nC max |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 4.1 A, 0.9 W |
| Body diode continuous current | 2A |
| Continuous drain current at 25c | 4.3A |
| Continuous drain current at 70c | 3.5A |
| Rds on vgs minus4.5v id minus3a | 78mΩ max |
| Rds on vgs minus10v id minus4.3a | 48mΩ max |
| Thermal resistance junction to ambient 10s | 90°C/W max |
| Thermal resistance junction to lead steady | 80°C/W max |
| Thermal resistance junction to ambient steady | 125°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?