Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
9 181 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:9 181 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 96 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,23 |
| от 87 | 6,68 |
| от 174 | 6,10 |
| от 347 | 5,49 |
| от 694 | 4,99 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от A&O. Работает при напряжении до 30 В и токе до 2,6 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Ток, А | Импульсный ток стока: -13A; On state drain current: -13A; Gate body leakage current: ±100nA; Body diode continuous current: -1.5A; Continuous drain current ta 25c: -2.6A; Continuous drain current ta 70c: -2.2A; Zero gate voltage drain current: -1µA at 25°C, -5µA at 55°C |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение, В | Напряжение затвор-исток: ±12V; Напряжение сток-исток: -30V; Gate threshold voltage: -0.6V to -1.4V, typ -1V |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | AO3403 |
| Упаковка | Tape and reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Сопротивление | Gate resistance: 4Ω min, 8Ω typ, 12Ω max; Drain source on resistance vgs minus 2.5v id minus 1a: 139mΩ typ, 200mΩ max; Drain source on resistance vgs minus 4.5v id minus 2a: 103mΩ typ, 150mΩ max; Drain source on resistance vgs minus 10v id minus 2.6a: 88mΩ typ, 115mΩ max |
| Ёмкость | Input capacitance ciss: 260pF typ, 315pF max; Output capacitance coss: 37pF typ; Reverse transfer capacitance crss: 20pF typ |
| Корпус | SOT23-3 |
| Transconductance | 8S typ |
| Рассеиваемая мощность | Ta 25c: 1.4W; Ta 70c: 0.9W |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Switching parameters | Время нарастания: 3.5ns typ; Время спада: 5ns typ; Время задержки включения: 6ns typ; Время задержки выключения: 20ns typ; Gate drain charge qgd: 1nC typ; Gate source charge qgs: 0.7nC typ; Total gate charge qg 10v: 5.9nC typ, 7.2nC max; Total gate charge qg 4.5v: 2.8nC typ, 3.5nC max; Body diode reverse recovery time: 11.5ns typ, 15ns max; Body diode reverse recovery charge: 4.5nC typ |
| Напр. диода | -0.78V typ, -1V max |
| Тепл. хар-ки | Junction to ambient t le 10s: 70°C/W typ, 90°C/W max; Junction to lead steady state: 63°C/W typ, 80°C/W max; Junction to ambient steady state: 100°C/W typ, 125°C/W max |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?