Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4А 1,4Вт
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
63 987 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:63 987 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,47 |
| от 900 | 3,67 |
| от 1 475 | 3,23 |
| от 2 450 | 2,88 |
| от 4 100 | 2,64 |
Описание
Транзистор полевой P-канальный MOSFET AO3401 от производителя HOTTECH. Работает при напряжении до 30 В, токе до 4 А и рассеивает мощность 1,4 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для цепей управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-channel MOSFET |
| Вес | 0.008 grams |
| Маркировка | A19T |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Low on-resistance, For PWM and load switch applications, Surface Mount device |
| Материал | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Тип монтажа | SMD |
| Gate resistance | 4Ω to 12Ω (typ 7.8Ω) |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Вх. емкость | 645pF |
| Время нарастания | 3.5ns |
| Заряд затвор-исток | 1.5nC |
| Выходная емкость | 80pF |
| Размеры упаковки | Угол: 0° to 8°; Шаг: 0.95mm typ; Ширина: 1.2mm to 1.4mm; Высота: 0.9mm to 1.15mm; Длина: 2.8mm to 3.0mm; Pitch1: 1.8mm to 2.0mm; Ширина вывода: 0.3mm to 0.5mm; Длина корпуса: 2.25mm to 2.55mm; Длина вывода: 0.55mm ref; Lead length1: 0.3mm to 0.5mm; Толщина вывода: 0.08mm to 0.15mm |
| Время спада | 9ns |
| Время задержки включения | 6.5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 41ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Импульсный ток стока | 27A |
| Diode forward current | 2A |
| Напр. диода | 0.7V to 1V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.4W |
| Power dissipation 70c | 0.9W |
| On state drain current | 27A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10S |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55~+150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.7V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.9V |
| On resistance vgs minus10v | 40mΩ (typ), 50mΩ (max) |
| On resistance vgs minus2.5v | 65mΩ (typ), 90mΩ (max) |
| On resistance vgs minus4.5v | 50mΩ (typ), 65mΩ (max) |
| Длительный ток стока 25°C | 4A |
| Continuous drain current 70c | 3.2A |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-channel 30V 4A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Total gate charge vgs minus10v | 14nC |
| Total gate charge vgs minus4.5v | 7nC |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Body diode reverse recovery time | 11ns |
| Body diode reverse recovery charge | 3.5nC |
| Термосопротивление переход-среда | 125°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?