
Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт
У поставщика
ПроизводительA&O
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 355 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 355 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,88 |
| от 166 | 10,48 |
| от 331 | 9,30 |
| от 662 | 8,41 |
| от 1 324 | 7,76 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от A&O. Работает при напряжении до 30 В, токе до 5,8 А и мощности 0,9 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и цепей питания в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Rg | 1.5Ω to 4.5Ω |
| Tf | 4ns |
| Tr | 2.5ns |
| GFS | 33S |
| Заряд затвор-сток | 1.8nC |
| Заряд затвор-исток | 1.3nC |
| Заряд обратного восстановления | 2.6nC |
| TRR | 8.5ns |
| Ciss | 630pF |
| Coss | 75pF |
| Crss | 50pF |
| V sd | 0.7V |
| Td(вкл) | 3ns |
| Bv dss | 30V |
| Td(выкл) | 25ns |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Idss макс. | 1μA |
| Igss макс. | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Qg total | 6nC to 7nC |
| Ток стока импульсный | 30A |
| Технология | Trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | 1.45V |
| Vgs порог мин. | 0.65V |
| Vgs(th) тип. | 1.05V |
| Channel type | N-Channel |
| Idss max 55c | 5μA |
| Rds on vgs10v | <26.5mΩ |
| Rds on vgs2 5v | <48mΩ |
| Rds on vgs4 5v | <32mΩ |
| Ток стока непрерывный 25C | 5.7A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 4.7A |
| Макс. рас. мощн. | 1.4W |
| Мощн. рас. 25°C | 1.4W |
| Power dissipation 70c | 0.9W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Max pulsed drain current | 30A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Max continuous drain current | 5.7A |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 5.8A 0.9W |
| Thermal resistance junction lead | 63°C/W typ, 80°C/W max |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 70°C/W typ, 90°C/W max |
| Thermal resistance junction ambient steady | 100°C/W typ, 125°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?