Документация
Цифровой изолятор ADuM4120ARIZ / SO-6W
У поставщика
ПроизводительANALOG DEVICES
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
106 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:106 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 272,56 |
| от 3 | 268,47 |
| от 6 | 263,06 |
| от 12 | 255,09 |
| от 24 | 242,27 |
Описание
ADuM4120ARIZ — цифровой изолятор с драйвером затвора от Analog Devices. Компонент предназначен для гальванической развязки и управления силовыми ключами в импульсных источниках питания и преобразователях. Выполнен в корпусе SO-6W, обеспечивающем расширенный зазор для высоковольтной изоляции. Подходит для применения в промышленной автоматике и системах управления двигателями.
Технические характеристики
| Корпус | 6-lead wide body SOIC |
| Каналы | 1 |
| Creepage | 8mm |
| Тип монтажа | SMD |
| Vde v iorm | 849V peak |
| Описание | Isolated, Precision Gate Driver with 2 A Output |
| Артикул | ADuM4120ARIZ |
| Производитель | Analog Devices |
| Тип изоляции | iCoupler galvanic isolation |
| Pulse width min | 50ns |
| Одобр. безоп. | UL 1577 (pending), CSA Component Acceptance Notice 5A, VDE V 0884-10 (pending) |
| Input glitch filter | optional models |
| Logic input current | -1μA to +1μA |
| Пиковый выходной ток | 2.3A |
| Default output state | low |
| Uvlo vdd1 hysteresis | 0.1V |
| Изол. напр. RMS | 5kV rms |
| Макс. задержка распространения | 79ns |
| Rds on test conditions | 250mA and 1A at VDD2 = 15V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Logic input low threshold | 0.3 × VDD1 (2.5V ≤ VDD1 ≤ 5V), 1.5V (VDD1 > 5V) |
| Output current continuous | 2A |
| Длительность испытания изоляции, с | 1 minute |
| Logic input high threshold | 0.7 × VDD1 (2.5V ≤ VDD1 ≤ 5V), 3.5V (VDD1 > 5V) |
| Uvlo vdd2 grade a negative | 4.1V to 4.2V |
| Uvlo vdd2 grade a positive | 4.4V to 4.5V |
| Uvlo vdd2 grade b negative | 6.9V to 7.1V |
| Uvlo vdd2 grade b positive | 7.3V to 7.5V |
| Uvlo vdd2 grade c negative | 10.8V to 11.1V |
| Uvlo vdd2 grade c positive | 11.3V to 11.6V |
| Nmos gate resistance rds on | 0.6Ω to 1.6Ω |
| Pmos gate resistance rds on | 0.8Ω to 1.8Ω |
| Pulse width test conditions | CL = 2nF |
| Гистерезис тепловой защиты | 30°C |
| Input current idd1 quiescent | 3.6mA to 5mA |
| Uvlo vdd1 negative threshold | 2.3V to 2.35V |
| Uvlo vdd1 positive threshold | 2.45V to 2.5V |
| Uvlo vdd2 grade a hysteresis | 0.2V |
| Uvlo vdd2 grade b hysteresis | 0.2V |
| Uvlo vdd2 grade c hysteresis | 0.2V |
| Описание (англ.) | 2.3A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SOIC-IC |
| Input current idd1 conditions | VIN = high |
| Input supply voltage vdd1 max | 6.5V |
| Input supply voltage vdd1 min | 2.5V |
| Output current idd2 quiescent | 1.7mA to 2.6mA |
| Common mode transient immunity | 150kV/μs |
| Output supply voltage vdd2 max | 35V |
| Output supply voltage vdd2 min | 4.5V |
| Peak output current conditions | VDD2 = 12V, 4Ω gate resistance |
| Propagation delay falling edge | ADuM4120 |
| Thermal shutdown positive edge | 155°C |
| Макс. темп. перехода | +125°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?