Документация
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А 0.5Вт
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 191 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:988 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 152 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,54 |
| от 423 | 3,81 |
| от 1 000 | 3,20 |
| от 2 000 | 2,74 |
| от 4 000 | 2,46 |
Склад 14
В наличии:203 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 000 | 2,27 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор от HOTTECH. Выдерживает напряжение до 300 В, ток до 0.5 А и мощность 0.5 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-89-3 на ленте в катушке. Подходит для импульсных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | BIPOLAR TRANSISTOR (NPN) |
| Вес | 0.055g |
| Маркировка | A42 |
| Корпус | SOT-89 |
| Особенности | Complementary to A92, High Breakdown Voltage, Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | A42 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability classification rating 94V-0 |
| Лента и катушка | Reel dimensions mm: D: Ø178; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40; D2: 13.00; W1: 13.20; W2: 16.50; Допуск: ±1 to ±2; Reel option: 7'' DIA; Carrier tape dimensions mm: A: 4.85; B: 4.45; C: 1.85; E: 1.75; F: 5.50; P: 8.00; W: 12.00; D: Ø1.50; P0: 4.00; P1: 2.00; Допуск: ±0.1 |
| Классификация hFE | Rank A: 80-100; Rank C: 200-250; Rank B1: 100-150; Rank B2: 150-200 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Предельные значения | Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55°C ~ +150°C; Напряжение эмиттер-база Vebo: 5V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 310V; Collector current pulsed icm: 500mA; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 305V; Pк: 500mW; Непрерывный ток коллектора Ic: 200mA; Тепловое сопротивление переход-среда: 250°C/W |
| Электрические характеристики | Hfe1: Min: 60; Conditions: VCE = 10V, IC = 1mA; Hfe2: Max: 300; Min: 100; Conditions: VCE = 10V, IC = 10mA; Коэффициент усиления DC hFE3: Min: 75; Conditions: VCE = 10V, IC = 30mA; Граничная частота ft: Min: 50MHz; Conditions: VCE = 20V, IC = 10mA, f = 30MHz; Emitter cut off current iebo: Max: 0.1uA; Conditions: VEB = 5V, IC = 0; Collector cut off current icbo: Max: 0.25uA; Conditions: VCB = 200V, IE = 0; Ток отсечки коллектора ICEX: Max: 5uA; Conditions: VCE = 100V, VX = 5V; Collector cut off current icex 2: Max: 10uA; Conditions: VCE = 300V, VX = 5V; Пробивное эмиттер-база: Min: 5V; Conditions: IE = 100uA, IC = 0; Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat: Max: 0.9V; Conditions: IC = 20mA, IB = 2mA; Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo: Min: 310V; Conditions: IC = 100uA, IE = 0; Напряж. пробоя К-Э: Min: 305V; Conditions: IC = 1mA, IB = 0; Напряжение насыщения КЭ: Max: 0.2V; Conditions: IC = 20mA, IB = 2mA |
| Описание (англ.) | NPN BIPOLAR TRANSISTOR 300V 0.5A 0.5W |
| Package outline dimensions mm | A: 1.400-1.600; D: 4.400-4.600; E: 2.300-2.600; L: 0.900-1.200; B: 0.320-0.520; C: 0.350-0.440; E: 1.500 TYP; D1: 1.550 REF; E1: 3.940-4.250; B1: 0.400-0.580; E1: 3.000 TYP |
| Package outline dimensions inch | A: 0.055-0.063; D: 0.173-0.181; E: 0.091-0.102; L: 0.035-0.047; B: 0.013-0.020; C: 0.014-0.017; E: 0.060 TYP; D1: 0.061 REF; E1: 0.155-0.167; B1: 0.016-0.023; E1: 0.118 TYP |
Заметили ошибку в описании или параметрах?