+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
93LC86BT-I/SN
Документация

93LC86BT-I/SN

Артикул:1179128
У поставщика
ПроизводительMicrochip
У поставщиков
40 шт.
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:40 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 159,78
Описание

Микросхема энергонезависимой памяти EEPROM от Microchip. Объём 16 Кбит, организация 1024 x 16 бит, корпус SOIC-8 для поверхностного монтажа. Выдерживает до 1 000 000 циклов перезаписи и хранит данные более 200 лет. Применяется в промышленной автоматике и устройствах для хранения конфигурации.

Технические характеристики
Org pinНет
Тип монтажаSMD
Word size16-bit
TechnologyEEPROM
Memory Size16Kbit
Memory TypeNon-Volatile
Объем памяти16Kbit
Артикул93LC86BT-I/SN
Организация1024 x 16-bit
Выводы корпуса8
Тип корпусаSOIC
Memory FormatEEPROM
Mounting TypeSurface Mount
Endurance min1,000,000 cycles
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Read current 2500µA
Read current 3100µA
Clock Frequency3 MHz
Write current 2500µA
Memory InterfaceMicrowire
Voltage - Supply2.5V ~ 5.5V
Read current max1mA
ОписаниеIC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC
Clock frequency 22MHz
Clock frequency 31MHz
Темп. диапазонIndustrial (I)
Write current max3mA
Clock low time min200ns
Data retention min>200 years
Program enable pinНет
Макс. напряжение питания5.5V
Мин. напряжение питания2.5V
Memory Organization1K x 16
Макс. тактовая частота3MHz
Clock high time min250ns
Pin capacitance max7pF
Макс. ток дежурного режима1µA
DigiKey ProgrammableVerified
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Status valid time max300ns
Макс. диапазон температур85°C
Мин. диапазон температур-40°C
Program cycle time max5ms
Read current conditionFCLK=3MHz, VCC=5.5V
Vcc detect voltage typ1.5V
Supplier Device Package8-SOIC
Write current conditionFCLK=3MHz, VCC=5.5V
Chip select low time min250ns
Clock low time condition2.5V <= VCC < 4.5V
Data input hold time min100ns
Erase all cycle time max6ms
Read current 2 conditionFCLK=2MHz, VCC=3.0V
Read current 3 conditionFCLK=2MHz, VCC=2.5V
Write all cycle time max15ms
Chip select hold time min0ns
Clock frequency conditionVCC >= 4.5V
Clock high time condition2.5V <= VCC < 4.5V
Data input setup time min100ns
Макс. ток утечки входа±1µA
Standby current conditionI temp, CLK=CS=0V
Write current 2 conditionFCLK=2MHz, VCC=2.5V
Chip select setup time min100ns
Data output delay time max250ns
Макс. ток утечки±1µA
Clock frequency 2 condition2.5V <= VCC < 4.5V
Clock frequency 3 condition1.8V <= VCC < 2.5V
Status valid time condition2.5V <= VCC < 4.5V, CL=100pF
Data output disable time max200ns
Program cycle time conditionAA and LC versions
Vcc detect voltage condition93AA86, 93LC86 versions
Write Cycle Time - Word, Page5ms
Low level input voltage max 10.8V
Low level input voltage max 20.2 VCC
Data input hold time condition2.5V <= VCC < 4.5V
High level input voltage min 12.0V
High level input voltage min 20.7 VCC
Low level output voltage max 10.4V
Low level output voltage max 20.2V
Data input setup time condition2.5V <= VCC < 4.5V
High level output voltage min 12.4V
High level output voltage min 2VCC-0.2V
Chip select setup time condition2.5V <= VCC < 4.5V
Data output delay time condition2.5V <= VCC < 4.5V, CL=100pF
Data output disable time conditionVCC >= 1.8V
Low level input voltage condition 1VCC >= 2.7V
Low level input voltage condition 2VCC < 2.7V
High level input voltage condition 1VCC >= 2.7V
High level input voltage condition 2VCC < 2.7V
Low level output voltage condition 1IOL=2.1mA, VCC=4.5V
Low level output voltage condition 2IOL=100µA, VCC=2.5V
High level output voltage condition 1IOH=-400µA, VCC=4.5V
High level output voltage condition 2IOH=-100µA, VCC=2.5V

Заметили ошибку в описании или параметрах?