Документация
5SNG1000X170300
У поставщика
ПроизводительABB
У поставщиков
50 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:50 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 122 330,80 |
| от 5 | 122 330,80 |
Описание
Этот силовой полупроводниковый модуль 5SNG1000X170300 производства ABB относится к серии HiPak и предназначен для мощных преобразователей частоты и источников питания. Компонент выполнен на основе IGBT-транзисторов с напряжением коллектор-эмиттер 1700 В и током коллектора 1000 А, что обеспечивает высокую эффективность в промышленных приводах и энергетике. Модуль отличается низкими коммутационными потерями и высокой надежностью, что делает его подходящим для жестких условий эксплуатации.
Технические характеристики
| Масса | 820g |
| Gate charge | 6.4µC |
| Тип упаковки | LinPak |
| Fall time 25C | 90ns |
| Тип монтажа | THT |
| Rise time 25C | 80ns |
| Импульсный ток | 5400A |
| Fall time 125C | 120ns |
| Fall time 175C | 140ns |
| Rise time 125C | 90ns |
| Rise time 175C | 100ns |
| Chip technology | SPT++ |
| Ширина | 100mm |
| Высота | 38mm |
| Длина | 140mm |
| Вх. емкость | 62nF |
| Напр. изоляции | 4000V |
| Ntc b value 25 85 | 3371K |
| Short circuit sOA | 10µs |
| Постоянный прямой ток | 1000A |
| Ntc b value 25 100 | 3435K |
| Выходная емкость | 5.3nF |
| Substrate material | AlN |
| Base plate material | AlSiC |
| Макс. темп. корпуса | 150°C |
| Case temperature min | -40°C |
| Dc collector current | 1000A |
| Gate leakage current | ±500nA |
| Макс. прямой ток | 2000A |
| Recovered charge 25C | 290µC |
| Recovered charge 125C | 460µC |
| Recovered charge 175C | 630µC |
| Ток КЗ | 3000A |
| Gate threshold voltage | 5.9V (typ) |
| Igbt short circuit soa | 10µs |
| Peak collector current | 2000A |
| Turn on delay time 25C | 270ns |
| Module stray inductance | 10nH |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 5500W |
| Turn off delay time 25C | 570ns |
| Turn on delay time 125C | 290ns |
| Turn on delay time 175C | 300ns |
| Gate emitter voltage max | 20V |
| Gate emitter voltage min | -20V |
| Internal gate resistance | 0.75Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Turn off delay time 125C | 680ns |
| Turn off delay time 175C | 730ns |
| Diode forward voltage 25C | 1.6V (typ), 1.9V (max) |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Reverse recovery time 25C | 520ns |
| Индекс трекингостойкости | 600 |
| Diode forward voltage 125C | 1.75V (typ), 2.05V (max) |
| Diode forward voltage 175C | 1.7V (typ) |
| Reverse recovery time 125C | 830ns |
| Reverse recovery time 175C | 1040ns |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Reverse recovery energy 25C | 170mJ |
| Collector cutoff current 25C | 0.003mA |
| Reverse recovery energy 125C | 260mJ |
| Reverse recovery energy 175C | 370mJ |
| Обратная проходная емкость | 3.8nF |
| Turn on switching energy 25C | 250mJ |
| Collector cutoff current 125C | 2.55mA |
| Collector cutoff current 175C | 55mA |
| Макс. напр. К-Э | 1700V |
| Ntc thermistor resistance 25C | 4.7kΩ |
| Turn off switching energy 25C | 190mJ |
| Turn on switching energy 125C | 410mJ |
| Turn on switching energy 175C | 500mJ |
| Turn off switching energy 125C | 280mJ |
| Turn off switching energy 175C | 350mJ |
| Max rated igbt current per switch | 1000A |
| Mounting torque base heatsink max | 6Nm |
| Mounting torque base heatsink min | 4Nm |
| Peak reverse recovery current 25C | 1130A |
| Mounting torque main terminals max | 10Nm |
| Mounting torque main terminals min | 8Nm |
| Peak reverse recovery current 125C | 1160A |
| Peak reverse recovery current 175C | 1230A |
| Creepage distance terminals to base | 30mm |
| Clearance distance terminals to base | 20mm |
| Thermal resistance case heatsink igbt | 27K/kW |
| Thermal resistance junction case igbt | 27K/kW |
| Creepage distance terminal to terminal | 30mm |
| Thermal resistance case heatsink diode | 33K/kW |
| Thermal resistance junction case diode | 45K/kW |
| Clearance distance terminal to terminal | 8mm |
| Mounting torque auxiliary terminals max | 1.1Nm |
| Mounting torque auxiliary terminals min | 0.9Nm |
| Resistance terminal chip rc1e1 igbt 25C | 0.25mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 igbt 25C | 0.35mΩ |
| Collector emitter saturation voltage 25C | 2.25V (typ), 2.5V (max) |
| Resistance terminal chip rc1e1 diode 25C | 0.34mΩ |
| Resistance terminal chip rc1e1 igbt 125C | 0.35mΩ |
| Resistance terminal chip rc1e1 igbt 175C | 0.40mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 diode 25C | 0.45mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 igbt 125C | 0.49mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 igbt 175C | 0.56mΩ |
| Collector emitter saturation voltage 125C | 2.55V (typ), 2.8V (max) |
| Collector emitter saturation voltage 175C | 2.75V (typ) |
| Resistance terminal chip rc1e1 diode 125C | 0.47mΩ |
| Resistance terminal chip rc1e1 diode 175C | 0.54mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 diode 125C | 0.62mΩ |
| Resistance terminal chip rc2e2 diode 175C | 0.71mΩ |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1000 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?