Документация
Оптопара транзисторная, x1 30В
У поставщика
ПроизводительLITEON
У поставщиков
9 470 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт22,16 ₽
Сумма1 108,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии9 470 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 144 — 20,18 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 108,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 192,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 1 108,00 ₽
Описание
Оптопара транзисторная от LITEON, модель 4N35S-TA1. Выполнена в корпусе SMDIP-6 для поверхностного монтажа, рассчитана на напряжение до 30 В и изоляцию 3550 В. Подходит для гальванической развязки цепей в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 2000V |
| Серия | 4N3X |
| ЭСР HBM | 8000V |
| Корпус | SMDIP-6 |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс MSL | 1 |
| Кол-во выводов | 6 |
| Ширина ленты | 16±0.3mm |
| Описание | Photocoupler, transistor output optocoupler |
| Артикул | 4N35S-TA1 |
| Мин. зазор | 8.0mm |
| Соответствие RoHS | Да |
| Одобр. безоп. | UL E113898, CSA CA91533-1, FIMKO 193422-01, VDE 40015248, BSI 9018-9, CQC CQC11001061921-2 |
| Vde creepage min | 7.0mm |
| Кол-во на катушке | 1000pcs |
| Vde clearance min | 7.0mm |
| Макс. прямое напряжение | 1.5V |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Макс. обратный ток | 10µA |
| Шаг перфорации | 4±0.1mm |
| Vde pollution degree | 2 |
| Мин. ток коллектора | 10mA |
| Мин. путь утечки | 8.0mm |
| Изол. напр. RMS | 3550Vrms |
| Время спада, макс. | 10µs |
| Время спада, тип. | 3µs |
| Время нарастания, макс. | 10µs |
| Время нарастания, тип. | 3µs |
| Vde safety temperature | 175°C |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. паразитная емкость | 2.5pF |
| Плавающая ёмкость, тип. | 1pF |
| Сопротивление изоляции мин. | 5×10^10Ω |
| Тип. сопр. изоляции | 1×10^11Ω |
| Емкость вывода, тип. | 50pF |
| Вх. ток макс. | 60mA |
| Обр. напр. вх. макс. | 6V |
| Макс. раб. темп. | +100°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Мин. коэфф. передачи тока | 100% |
| Vde transient voltage peak | 6000V |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 350mW |
| Vde isolation thickness min | 0.4mm |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Условия измерения времени отклика | VCE=10V, IC=2mA, RL=100Ω |
| Описание (англ.) | Single Channel 30 V 3550 Vrms Transistor Output Optocoupler |
| Vde safety current diode side | 400mA |
| Collector dark current max 25c | 50nA |
| Условия измерения прямого напряжения | IF=10mA |
| Условия испытания обратного тока | VR=4V |
| Collector dark current max 100c | 500µA |
| Output collector base voltage max | 70V |
| Условия измерения плавающей ёмкости | V=0, f=1MHz |
| Условия измерения сопротивления изоляции | DC500V, 40~60% R.H. |
| Условия измерения ёмкости вывода | V=0, f=1kHz |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 70V |
| Макс. Uкэ | 30V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Vde operating isolation voltage peak | 420V |
| Условия измерения токового коэффициента | IF=10mA, VCE=10V, Ta=25°C |
| Vde safety power phototransistor side | 700mW |
| Макс. рассеиваемая мощность коллектора | 300mW |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-коллектор | 7V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3V |
| Условия измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер | IF=50mA, IC=2mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?