Документация
2Т828Б, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительФЗМТ
У поставщиков
300 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:300 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 41,40 |
| от 50 | 35,19 |
| от 500 | 29,90 |
Описание
2Т828Б — биполярный NPN транзистор производства компании «Электроника и связь» (ФЗМТ). Выполнен в металлическом корпусе KT-9, рассчитан на ток коллектора до 5 А и рассеиваемую мощность 50 Вт. Отличается низким напряжением насыщения и быстрым переключением (время включения до 0,55 мкс). Применяется в импульсных источниках питания и силовых узлах промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Масса | 20 g |
| Тип | PNP silicon epitaxial planar transistor |
| Корпус | Metal case with glass insulators |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | 2Т828Б |
| Gain hfe min | 2.25 |
| Gain hfe typ | 4 |
| Производитель | ООО компания 'Электроника и связь' |
| Корпус | KT-9 |
| Макс. время спада | 1.2 μs |
| Тип. время спада | 1 μs |
| Storage time max | 10 μs |
| Storage time typ | 5 μs |
| Макс. время включения | 0.55 μs |
| Время включения тип. | 0.4 μs |
| Рассеиваемая мощность | 50W (case temp -60 to +50°C) |
| Структура | NPN |
| Collector current dc | 5A |
| Vbe saturation voltage | 0.95...3V (Ic=4.5A, Ib=2A) |
| Vce saturation voltage | 0.5...1.3V (at 25°C, Ic=4.5A, Ib=2A), max 5V at -60°C and T_c max |
| Collector current pulse | 7.5A (ti=10ms, duty=2) |
| Emitter leakage current | 10 mA max, 1 mA typ (Ueb=5V) |
| Base emitter voltage max | 5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 4 MHz |
| Transition frequency typ | 7 MHz |
| Collector leakage current | 5 mA (at Ucb max) |
| Диап. раб. темп. | -60 to +125°C |
| Collector emitter voltage dc | 600V (at -60 to +85°C), 400V (at +100°C) |
| Emitter base capacitance typ | 2000 pF (at low Vbe, typical from graph) |
| Collector base capacitance typ | 5000 pF (at low Vcb, typical from graph) |
| Pulse collector emitter voltage | 1200V (at specified conditions) |
| Collector emitter leakage current | 5 mA (Rbe=10Ω, Uce max) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 600 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 2.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?