Документация
2Т826А, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительФЗМТ
У поставщиков
31 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:31 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 77,63 |
| от 20 | 49,99 |
| от 200 | 37,31 |
Описание
Биполярный транзистор 2Т826А производства ФЗМТ — мощный NPN-ключ в металлическом корпусе. Выдерживает напряжение до 700 В, ток коллектора до 1 А и рассеивает до 15 Вт. Подходит для импульсных схем и силовых узлов промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Ft | ≥6 MHz @ Vce=15V, Ic=0.1A |
| Cib | ≤250pF @ Veb=5V |
| Cob | ≤25pF (typ 20pF) @ Vcb=100V |
| Hfe | 10..120 @ Vce=10V, Ic=0.1A, T=25°C; 5..300 @ T=Tj_max; 5..120 @ T=-60°C |
| Ices | ≤2mA @ Vce=700V, Rbe=10Ω, T=25°C; ≤5mA @ Vce=300V; ≤4mA @ Vce=500V, T=-60°C |
| Iebo | ≤3mA @ Veb=5V |
| Масса | ≤20g |
| Тип | Bipolar NPN Silicon Switching Transistor |
| Ib max | 0.75A DC/pulse |
| Макс. ток коллектора | 1A DC/pulse |
| Макс. Pc | 15W (T=-60...+50°C) |
| Rth jc | ~7°C/W (typical) |
| T fall | ≤1.5 μs @ Vce=500V, Vbe=-5V, Ic=0.5A, Ib=0.2A |
| Корпус | Metal case with glass insulators and rigid leads (possibly TO-3) |
| Vbe sat | ≤2V @ Ic=0.5A, Ib=0.2A |
| Vce sat | ≤2.5V @ Ic=0.5A, Ib=0.2A |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Vceo min | 500V (Ic=0.1A, L=40mH) |
| Vce max dc | 700V (Rbe=10Ω, T=-60...+75°C) |
| Pc derating | Derate above +50°C using Rth_jc ~7°C/W |
| Vce derating | Linear to 300V above +75°C |
| Корпус | KT-9 |
| Vce max pulse | 700V (tp=20ms, duty=50%, tr>0.2μs, rate≤3.5V/ns, T=-60...+75°C); 1000V (tr>1.5μs, rate≤0.66V/ns, T=+25°C) |
| Темп. диапазон | -60 to +125°C |
| Структура | NPN |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Static potential handling | 2000V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 700 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 10 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?