Документация
2Т652А, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительТранзистор
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 150
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 150
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 150 | 43,47 |
| от 1 500 | 37,26 |
Описание
Транзистор биполярный NPN 2Т652А производства OAO INTEGRAL. Выполнен в корпусе КТЮ-27-3 для монтажа в отверстия, работает в диапазоне температур от -60 до +125 °C. Ключевые параметры: коэффициент усиления от 25 до 100, граничная частота не менее 200 МГц, максимальный ток коллектора 500 мА. Применяется в промышленной автоматике и силовых узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Технические характеристики
| Корпус | KTЮ-27-3 |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Производитель | OAO INTEGRAL |
| Тип компонента | Bipolar NPN transistor |
| Storage time max | 100ns |
| Datasheet revision | January 2011, edition 1.0 |
| Структура | NPN |
| Static current gain max | 100 |
| Static current gain min | 25 |
| Мин. частота перехода | 200MHz |
| Диап. раб. темп. | -60 to 125 °C |
| Reverse emitter current max | 100µA |
| Reverse collector current max | 30µA |
| Collector current test condition | 500mA |
| Emitter junction capacitance max | 110pF |
| Collector junction capacitance max | 12pF |
| Saturation voltage base emitter max | 1.2V |
| Transition frequency test condition | U_KE=10V, I_K=50mA, f=10^8 Hz |
| Reverse emitter current test condition | U_EB=4V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 36V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 45 |
| Reverse collector current test condition | U_KB=50V |
| Saturation voltage collector emitter max | 0.65V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 25 |
| Emitter junction capacitance test condition | U_EB=0V, f=10^7 Hz |
| Collector junction capacitance test condition | U_KB=10V, f=10^7 Hz |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?