
Документация
2Т602А, транзистор биполярный NPN канал 75мА 0.85Вт КТЮ-3-9
У поставщика
ПроизводительВЗПП
У поставщиков
61 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:61 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 527,85 |
| от 10 | 481,28 |
| от 100 | 384,84 |
Описание
Транзистор биполярный NPN 2Т602А производства ВЗПП. Выдерживает ток коллектора до 75 мА, мощность до 0,85 Вт, напряжение коллектор-база до 120 В. Выполнен в металлостеклянном корпусе КТЮ-3-9 с гибкими выводами для монтажа в отверстия. Подходит для применения в промышленной автоматике и радиоэлектронной аппаратуре.
Технические характеристики
| Масса | 5g max |
| Тип | PNP silicon planar transistor |
| Корпус | metal-glass case with flexible leads |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | КТЮ-3-9 |
| Hfe at low temp | 5...80 (T=-60°C) |
| Hfe at high temp | 50...500 (T=+125°C) |
| Структура | NPN |
| Dc current gain hfe | 20...80 (Vce=10V, Ic=10mA) |
| Emitter current max | 80mA |
| Макс. ток коллектора | 75mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Макс. темп. перехода | +150°C |
| Мин. частота перехода | 150MHz |
| Диапазон темп. окр. | -60...+125°C |
| Saturation voltage be max | 3V (Ic=50mA, Ib=5mA) |
| Saturation voltage ce max | 3V (Ic=50mA, Ib=5mA) |
| Напряжение коллектор-база макс. | 120V (Tp=+100°C), 60V (Tp=+150°C) |
| Emitter cutoff current max | 50μA (Veb=5V) |
| Feedback time constant max | 300ps (Vcb=10V, Ic=10mA, f=2MHz) |
| Макс. ток отсечки коллектора | 10μA (Vcb=120V) |
| Emitter base capacitance max | 25pF (Vcb=0V) |
| Collector current impulse max | 500mA (t_i≤1μs) |
| Макс. напр. К-Э | 100V (Tp=+100°C, R_BE=1kΩ), 50V (Tp=+150°C) |
| Collector base capacitance max | 4pF (Vcb=50V) |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 45°C/W |
| Power dissipation max no heatsink | 0.85W (T=+25°C), 0.16W (T=+125°C) |
| Collector base voltage impulse max | 160V (Tp=+100°C), 80V (Tp=+150°C) |
| Power dissipation max with heatsink | 2.8W (T≤+25°C), 0.56W (T=+125°C) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 150°C/W |
| Collector emitter cutoff current max | 10μA (Vce=100V, R_BE=10Ω) |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 100 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.075 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?