Документация
2Т326А, транзистор
У поставщика
ПроизводительЭлекс
У поставщиков
150 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 248,40 |
| от 20 | 175,95 |
| от 200 | 135,63 |
Описание
Транзистор 2Т326А от производителя Элекс — это кремниевый эпитаксиально-планарный PNP прибор в металлостеклянном корпусе КТ-17 с гибкими выводами. Работает на частотах до 1150 МГц, выдерживает ток коллектора до 50 мА и рассеивает мощность до 250 мВт. Подходит для высокочастотных схем в промышленной автоматике и измерительной технике.
Технические характеристики
| Тип | PNP silicon epitaxial-planar |
| Корпус | metal-glass case with flexible leads |
| Масса макс. | 0.5g |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | KT-17 |
| Структура | PNP |
| Cutoff frequency max | 1150 MHz |
| Cutoff frequency min | 250 MHz |
| Макс. ток коллектора | 50 mA |
| Emitter capacitance max | 4 pF |
| Emitter capacitance min | 1.2 pF |
| Emitter capacitance typ | 1.4 pF |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 4 V |
| Макс. темп. перехода | 175 °C |
| Диапазон темп. окр. | -60 to +125 °C |
| Collector capacitance max | 5 pF |
| Collector capacitance min | 1.7 pF |
| Collector capacitance typ | 2.2 pF |
| Power dissipation 25C max | 250 mW |
| Напряжение коллектор-база макс. | 20 V |
| Cutoff frequency condition | Vcb=5V, Ic=10mA |
| Feedback time constant max | 450 ps |
| Feedback time constant min | 84 ps |
| Feedback time constant typ | 133 ps |
| Power dissipation 125C max | 83.3 mW |
| Emitter capacitance condition | Veb=0V |
| Collector capacitance condition | Vcb=5V |
| Reverse emitter current 25C max | 0.1 µA |
| Feedback time constant condition | Vcb=5V, Ic=10mA, f=5MHz |
| Reverse emitter current 125C max | 10 µA |
| Reverse collector current 25C max | 0.5 µA |
| Reverse emitter current condition | Veb=4V |
| Static current transfer ratio max | 70 |
| Static current transfer ratio min | 20 |
| Reverse collector current 125C max | 10 µA |
| Reverse collector current condition | Vcb=10V |
| Saturation voltage base emitter max | 1.2 V |
| Saturation voltage base emitter min | 0.87 V |
| Saturation voltage base emitter typ | 0.89 V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 0.6 °C/mW |
| Static current transfer ratio condition | Vcb=2V, Ie=10mA, T=+25°C |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 15 |
| Saturation voltage collector emitter max | 0.3 V |
| Saturation voltage collector emitter min | 0.11 V |
| Saturation voltage collector emitter typ | 0.16 V |
| Saturation voltage base emitter condition | Ic=10mA, Ib=1mA |
| Коэф-т передачи тока hfe | 20 |
| Collector emitter voltage max Rbe less 100k | 15 V |
| Saturation voltage collector emitter condition | Ic=10mA, Ib=1mA |
| Collector emitter voltage max amplification Rbe ge 100k | 20 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?