+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
2Т3129Д9
Документация

2Т3129Д9, транзистор

Артикул:1206895
У поставщика
ПроизводительДалекс
У поставщиков
30 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:30 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 150 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 173,49
от 1062,31
от 10052,92
Описание

Транзистор 2Т3129Д9 от производителя Далекс — кремниевый эпитаксиально-планарный PNP-транзистор универсального назначения. Выполнен в корпусе KT-46 (аналог TO-92) для сквозного монтажа, рассчитан на постоянный ток коллектора до 100 мА и максимальное напряжение коллектор-база 20 В. Рассеиваемая мощность при 25°C составляет 200 мВт, коэффициент усиления по току — от 200 до 500. Подходит для применения в бытовой электронике и маломощных усилительных каскадах.

Технические характеристики
Масса≤0.1g
ТипPNP silicon epitaxial-planar universal transistor
Корпусplastic case with rigid leads (likely TO-92)
Тип монтажасквозное отверстие
КорпусKT-46
СтруктураPNP
Усл. пайкиdistance ≥0.15mm from body, temperature ≤260°C, time ≤3s
Мощн. рас. 25°C200mW
Power dissipation 85c80mW
Collector current pulse200mA (tp=1µs, duty cycle 10)
Макс. темп. перехода+125°C
Диап. темп. хр.-60 to +85°C
Диап. раб. темп.-60 to +85°C
Непрерывный ток коллектора100mA
Maximum emitter base voltage5V
Maximum collector base voltage20V
Reverse collector current vcb max≤1µA
Тепловое сопротивление переход-среда0.5°C/mW
Dc current gain hfe vce 5v ic 2ma 25c200-500
Dc current gain hfe vce 5v ic 2ma 85c200-1000
Collector junction capacitance vcb 10v7.1-12 pF (typical 8 pF)
Коэф-т передачи тока hfe 200
Maximum collector emitter voltage rbe 1kohm20V
Base emitter saturation voltage ic 10ma ib 1ma≤1.3V
Collector emitter breakdown voltage min ic 10ma15V
Collector emitter saturation voltage ic 10ma ib 1ma≤0.2V
High frequency current gain vcb 5v ie 10ma f 100mhz2.2 (typical, range 2.0-2.5)
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Заметили ошибку в описании или параметрах?