Документация
2Т117Г, (кт117г) (1991-1992)
У поставщика
ПроизводительУРЛЗ
У поставщиков
84 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:84 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 320,85 |
| от 10 | 227,70 |
| от 100 | 207,00 |
Описание
2Т117Г — это однопереходный транзистор производства ОАО «НПП «ЗАВОД ИСКРА» (УРЛЗ). Выпускается в металлостеклянном корпусе KT-1-7 (TO-18) для монтажа в отверстия, с максимальным напряжением между базами 30 В, рассеиваемой мощностью до 300 мВт и импульсным током эмиттера до 1 А. Применяется в генераторах, таймерах и схемах управления в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Масса | 0.5g |
| Тип | unijunction_transistor |
| Корпус | metal_glass |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | 2Т117Г |
| Производитель | ОАО «НПП «ЗАВОД ИСКРА» |
| Корпус | KT-1-7 (TO-18) |
| Структура | N-База |
| Turn on current max | 20µA |
| Max interbase voltage | 30V |
| Макс. рас. мощн. | 300mW |
| Max dc emitter current | 50mA |
| Interbase resistance max | 9kOhm |
| Interbase resistance min | 6kOhm |
| Max pulse emitter current | 1A |
| Emitter leakage current max | 1µA |
| Intrinsic standoff ratio max | 0.85 |
| Intrinsic standoff ratio min | 0.65 |
| Turn on current test voltage | 10V |
| Max interbase voltage condition | R_EB=10Ω |
| Interbase resistance test current | 1mA |
| Max reverse emitter base2 voltage | 30V |
| Макс. Uбэ нас. | 5V |
| Max pulse emitter current condition | U_EB=2V |
| Emitter leakage current test voltage | 30V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 0.65 |
| Base emitter saturation voltage test conditions | U_B1B2=10V, I_E=50mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?