Документация
2Т117Б, транзистор биполярный N канал 50мА 30В КТ-1-7 (TO-18) 1991-92г
У поставщика
ПроизводительУРЛЗ
У поставщиков
110 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 320,85 |
| от 10 | 229,77 |
| от 100 | 176,43 |
Описание
2Т117Б — однопереходный (униджанкшен) транзистор производства УРЛЗ. Компонент с N-базой рассчитан на межбазовое напряжение до 30 В, постоянный ток эмиттера до 50 мА и рассеиваемую мощность до 300 мВт, выпускается в металлостеклянном корпусе КТ-1-7 (TO-18). Применяется в генераторных и ключевых схемах промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | unijunction_transistor |
| Корпус | КТ-1-7 (TO-18) |
| Масса макс. | 0.5g |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | KT-1-7 (TO-18) |
| Turn on condition | U_B1B2=10V |
| Структура | N-База |
| Turn on current max | 20µA |
| Max interbase voltage | 30V |
| Макс. рас. мощн. | 300mW |
| Max dc emitter current | 50mA |
| Interbase resistance max | 7.5kΩ |
| Interbase resistance min | 4kΩ |
| Emitter leakage condition | U_EB1=30V |
| Max pulse emitter current | 1A |
| Emitter leakage current max | 1µA |
| Intrinsic standoff ratio max | 0.85 |
| Intrinsic standoff ratio min | 0.65 |
| Interbase resistance condition | I_B1B2=1mA |
| Base emitter saturation condition | U_B1B2=10V, I_E=50mA |
| Max reverse emitter base2 voltage | 30V |
| Intrinsic standoff ratio condition | U_B1B2=10V |
| Макс. Uбэ нас. | 5V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 0.65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?