Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 40Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
118 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт59,47 ₽
Сумма892,05 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии118 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 25 — 55,86 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 892,05 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 407,95 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 892,05 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от TOS. Работает при напряжении до 600 В, токе до 6 А и мощности 40 Вт. Выполнен в корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET N-Channel |
| Вес | 1.9 g (typ.) |
| Корпус | SC-67 (2-10R1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | π-MOSVI |
| Применение | импульсный стабилизатор |
| Время спада | 35ns typ. |
| Время нарастания | 20ns typ. |
| Чувствительность к ЭСР | Да |
| Drain current dc | 6A |
| Turn on time ton | 40ns typ. |
| Turn off time toff | 130ns typ. |
| Drain current pulse | 24A (t=1ms) |
| Общий заряд затвора (Qg) | 28nC typ. (VDD=400V, VGS=10V, ID=6A) |
| Лавинный ток IAR | 6A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 12nC typ. |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 16nC typ. |
| Входная ёмкость Ciss | 1050pF typ. (VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz) |
| Макс. температура канала | 150°C |
| Drain gate voltage vdgr | 600V |
| Drain power dissipation | 40W (Tc=25°C) |
| Выходная ёмкость Coss | 110pF typ. (VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 600V |
| Gate leakage current igss | ±10μA max (VGS=±25V, VDS=0V) |
| Время обратного восстановления | 1000ns typ. (IDR=6A, dIDR/dt=100A/μs) |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Drain cut off current idss | 100μA max (VDS=600V, VGS=0V) |
| Forward voltage diode vdsf | -1.7V max (IDR=6A, VGS=0V) |
| Gate threshold voltage vth | 2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA) |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 7.0μC typ. |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 6A 40W |
| Forward transfer admittance yfs | 5.0S typ., 1.2S min (VDS=10V, ID=3A) |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 4mJ |
| Pulse drain reverse current idrp | 24A |
| Drain source on resistance rds on | 0.9Ω typ., 1.25Ω max (VGS=10V, ID=3A) |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 10pF typ. (VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz) |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 345mJ (VDD=90V, Tch=25°C, L=16.8mH, IAR=6A, RG=25Ω) |
| Thermal resistance channel to case | 3.125 °C/W |
| Continuous drain reverse current idr | 6A |
| Thermal resistance channel to ambient | 62.5 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?