Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт122,62 ₽
Сумма122,62 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 122,62 ₽. До заказа без доплаты не хватает 17 177,38 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 122,62 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от TOS. Рабочее напряжение 500 В, ток 5 А, мощность рассеивания 35 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET N-Channel |
| Вес | 1.7g |
| Корпус | SC-67 (2-10U1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | See datasheet (unit: mm) |
| Технология | π-MOSVI |
| Время спада | 10ns |
| Время нарастания | 10ns |
| Drain current dc | 5A |
| Turn on time ton | 20ns |
| Конфиг. выводов | 1: Gate, 2: Drain, 3: Source |
| Turn off time toff | 50ns |
| Drain current pulse | 20A |
| Общий заряд затвора (Qg) | 16nC |
| Лавинный ток IAR | 5A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 6nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 10nC |
| Входная ёмкость Ciss | 550pF |
| Макс. температура канала | 150°C |
| Drain gate voltage vdgr | 500V |
| Drain power dissipation | 35W |
| Выходная ёмкость Coss | 70pF |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Drain cutoff current idss | 100μA |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 500V |
| Gate leakage current igss | ±10μA |
| Время обратного восстановления | 150ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Forward voltage diode vdsf | -1.7V |
| Gate threshold voltage vth | 2.0 to 4.0V |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 0.3μC |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 5A 35W |
| Forward transfer admittance yfs | 3S (typ), 1.5S (min) |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 3.5mJ |
| Pulse drain reverse current idrp | 20A |
| Drain source on resistance rds on | 1.3Ω (typ), 1.7Ω (max) |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 7pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 180mJ |
| Thermal resistance channel to case | 3.57°C/W |
| Continuous drain reverse current idr | 5A |
| Gate source breakdown voltage vbr gss | ±30V |
| Thermal resistance channel to ambient | 62.5°C/W |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | 500V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?