Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13А 50Вт (рекомендуемая замена: TK13A60D)
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
84 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:84 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 88,49 |
| от 10 | 83,38 |
| от 20 | 78,56 |
| от 50 | 75,00 |
| от 100 | 71,74 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от TOS. Рабочее напряжение 600 В, ток 13 А, мощность 50 Вт, корпус TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Gate, 2: Drain, 3: Source |
| Вес | 1.7g |
| Корпус | SC-67 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Применение | Switching Regulator Applications |
| Описание | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) |
| Артикул | 2SK3797 |
| Fall time tf | 50ns |
| Rise time tr | 60ns |
| Turn on time ton | 110ns |
| Turn off time toff | 215ns |
| Drain current dc id | 13A |
| Total gate charge qg | 62nC |
| Avalanche current iar | 13A |
| Gate drain charge qgd | 22nC |
| Gate source charge qgs | 40nC |
| Input capacitance ciss | 3150pF |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain current pulse idp | 52A |
| Drain gate voltage vdgr | 600V |
| Output capacitance coss | 270pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Drain source voltage vdss | 600V |
| Gate leakage current igss | ±10µA |
| Reverse recovery time trr | 1050ns |
| Drain cut off current idss | 100µA |
| Drain power dissipation pd | 47W |
| Forward voltage diode vdsf | -1.7V |
| Gate threshold voltage vth | 2.0~4.0V |
| Reverse recovery charge qrr | 15µC |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 13A 50W |
| Диапазон температур хранения | -55~150°C |
| Forward transfer admittance yfs | 7.0S |
| Repetitive avalanche energy ear | 4.7mJ |
| Pulse drain reverse current idrp | 57A |
| Drain source on resistance rds on | 0.32Ω typ, 0.45Ω max |
| Reverse transfer capacitance crss | 18pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 749mJ |
| Continuous drain reverse current idr | 13A |
| Gate source breakdown voltage v br gss | ±30V |
| Drain source breakdown voltage v br dss | 600V |
| Thermal resistance channel to case rth ch c | 2.66°C/W |
| Thermal resistance channel to ambient rth ch a | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?