Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19А 97Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
16 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:16 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 217,25 |
| от 5 | 206,69 |
| от 9 | 196,74 |
| от 17 | 189,43 |
| от 33 | 182,71 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от FUJI ELECTRIC. Выдерживает напряжение до 500 В, ток до 19 А и мощность 97 Вт, выпускается в корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Silicon Power MOSFET |
| Серия | Super FAP-G Series |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | 2SK3683-01MR |
| Макс. время спада | 12ns |
| Тип. время спада | 8ns |
| Макс. время нарастания | 19.5ns |
| Тип. время нарастания | 13ns |
| Напр. изоляции | 2kVrms |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Avalanche capability | 19A |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | ±76A |
| Gate drain charge max | 15nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Входная емкость макс. | 2340pF |
| Тип. входная емкость | 1560pF |
| Max drain source dvdt | 20kV/s |
| Время обратного восстановления | 0.57µs |
| Заряд затвора макс. | 51nC |
| Тип. заряд затвора | 34nC |
| Gate source charge max | 19.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 13nC |
| Макс. выходная емкость | 345pF |
| Выходная емкость тип. | 230pF |
| Время вкл. макс. | 43.5ns |
| Время задержки вкл. тип. | 29ns |
| Заряд обратного восстановления | 7.0µC |
| Макс. время выключения | 84ns |
| Время задержки выкл. тип. | 56ns |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Continuous drain current | ±19A |
| Peak diode recovery dvdt | 5kV/µs |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Max power dissipation ta25 | 2.16W |
| Max power dissipation tc25 | 97W |
| Diode forward on voltage max | 1.50V |
| Diode forward on voltage typ | 1.20V |
| Forward transconductance min | 7.5S |
| Forward transconductance typ | 15S |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 19A 97W |
| Operating channel temperature | +150°C |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Drain source voltage vgs neg30 | 500V |
| Gate source leakage current max | 100nA |
| Gate source leakage current min | 10nA |
| Reverse transfer capacitance max | 12pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 8pF |
| Thermal resistance channel to case | 1.289°C/W |
| Max avalanche energy non repetitive | 245.3mJ |
| Drain source on state resistance max | 0.38Ω |
| Drain source on state resistance typ | 0.29Ω |
| Max avalanche current non repetitive | 19A |
| Thermal resistance channel to ambient | 58.0°C/W |
| Zero gate voltage drain current tch25 | 25µA |
| Zero gate voltage drain current tch125 | 250µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?