Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 45Вт (рекомендуемая замена: TK10A60D, TK750A60F)
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
204 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:204 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 803,92 |
| от 2 | 771,42 |
| от 3 | 740,81 |
| от 6 | 718,31 |
| от 11 | 697,65 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор производства Toshiba. Компонент рассчитан на высокое рабочее напряжение и предназначен для применения в импульсных источниках питания и блоках управления электродвигателями. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Модель совместима по параметрам с популярными аналогами TK10A60D и TK750A60F.
Технические характеристики
| Вес | 1.7g |
| Маркировка | K3569 |
| Корпус | SC-67 (TOSHIBA 2-10U1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | 2SK3569 |
| Описание | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) |
| Применение | Switching Regulator Applications |
| Fall time tf | 36ns |
| Rise time tr | 22ns |
| Turn on time ton | 50ns |
| Turn off time toff | 180ns |
| Drain current dc id | 10A |
| Total gate charge qg | 42nC |
| Avalanche current iar | 10A |
| Gate drain charge qgd | 19nC |
| Gate source charge qgs | 23nC |
| Input capacitance ciss | 1500pF |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain current pulse idp | 40A |
| Drain gate voltage vdgr | 600V |
| Output capacitance coss | 180pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Drain source voltage vdss | 600V |
| Gate leakage current igss | ±10µA |
| Reverse recovery time trr | 1300ns |
| Drain cut off current idss | 100µA |
| Drain power dissipation pd | 45W |
| Forward voltage diode vdsf | -1.7V |
| Gate threshold voltage vth | 2.0~4.0V |
| Reverse recovery charge qrr | 16µC |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 10A 45W |
| Диапазон температур хранения | -55~150°C |
| Forward transfer admittance yfs | 8.5S typ, 0.7S min |
| Repetitive avalanche energy ear | 4.5mJ |
| Pulse drain reverse current idrp | 40A |
| Drain source on resistance rds on | 0.54Ω typ, 0.75Ω max |
| Reverse transfer capacitance crss | 15pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 363mJ |
| Continuous drain reverse current idr | 10A |
| Gate source breakdown voltage v br gss | ±30V |
| Drain source breakdown voltage v br dss | 600V |
| Thermal resistance channel to case rth ch c | 2.78°C/W |
| Thermal resistance channel to ambient rth ch a | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?