Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 35Вт (рекомендуемая замена: TK4A60DA)
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
40 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт87,37 ₽
Сумма873,70 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии40 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 18 — 82,48 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 873,70 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 426,30 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 873,70 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от TOS. Работает при напряжении до 600 В, токе до 3,5 А и рассеивает до 35 Вт мощности. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Jedec | ― |
| Jeita | ― |
| Примечания | Electrostatic sensitive device; TENTATIVE datasheet; 2003-04-15 |
| Цоколевка | 1: Gate, 2: Drain, 3: Source |
| Корпус | TO-220 |
| Toshiba | ― |
| Тип монтажа | Выводной |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | 10±0.3 x 2.7±0.2 mm, φ3.2±0.2 mm, 2.54±0.25 mm pitch |
| Применение | Switching Regulator Applications |
| Описание | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) |
| Артикул | 2SK3567 |
| Время спада | TBD ns |
| Время нарастания | TBD ns |
| Turn on time ton | TBD ns |
| Turn off time toff | TBD ns |
| Drain current dc id | 3.5A |
| Общий заряд затвора (Qg) | TBD nC |
| Лавинный ток IAR | 3.5A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | TBD nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | TBD nC |
| Входная ёмкость Ciss | TBD pF |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain current pulse idp | 14A |
| Drain gate voltage vdgr | 600V |
| Выходная ёмкость Coss | TBD pF |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 600V |
| Gate leakage current igss | ±10µA |
| Время обратного восстановления | TBD ns |
| Drain cut off current idss | 100µA |
| Drain power dissipation pd | 35W |
| Forward voltage diode vdsf | -1.9V |
| Gate threshold voltage vth | 2.0~4.0V |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | TBD µC |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 3.5A 35W |
| Диапазон температур хранения | -55~150°C |
| Forward transfer admittance yfs | TBD S |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 3.5mJ |
| Pulse drain reverse current idrp | 14A |
| Drain source on resistance rds on | 1.7Ω typ, 2.2Ω max |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | TBD pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | TBD mJ |
| Continuous drain reverse current idr | 3.5A |
| Gate source breakdown voltage v br gss | ±30V |
| Drain source breakdown voltage v br dss | 600V |
| Тепловое сопротивление канал-корпус Rth(ch-c) | 3.57°C/W |
| Тепловое сопротивление канал-среда Rth(ch-a) | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?