Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 70Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
190 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 88,79 |
| от 10 | 83,73 |
| от 19 | 78,96 |
| от 38 | 75,44 |
| от 100 | 72,21 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор от FUJI ELECTRIC с N-каналом. Выдерживает напряжение до 600 В, ток до 12 А и мощность 70 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Silicon Power MOSFET |
| Серия | Super FAP-G Series |
| Корпус | TO-220F |
| Особенности | High speed switching, Low on-resistance, No secondary breakdown, Low driving power, Avalanche-proof |
| Тип монтажа | Выводной |
| Артикул | 2SK3502-01MR |
| Применение | Switching regulators, UPS (Uninterruptible Power Supply), DC-DC converters |
| Производитель | Fuji Electric |
| Avalanche energy | 183mJ |
| Лавинный ток | 12A |
| Заряд сток-затвор | 15nC |
| Вх. емкость | 1800pF |
| Напр. изоляции | 2kVrms |
| Полный заряд затвора | 45nC |
| Время нарастания | 23ns |
| Заряд затвор-исток | 16.5nC |
| Выходная емкость | 210pF |
| Время спада | 11ns |
| Время задержки включения | 26ns |
| Время задержки выключения | 53ns |
| Voltage gate source | ±30V |
| Импульсный ток стока | ±48A |
| Voltage drain source | 600V |
| Напр. диода | 1.50V |
| Время обратного восстановления | 0.75µs |
| Max drain source dv dt | 20kV/µs |
| Power dissipation ta 25 | 2.16W |
| Power dissipation tc 25 | 70W |
| Заряд обратного восстановления | 5.0µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | ±12A |
| Прямая крутизна | 8S |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5kV/µs |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Gate source leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 9pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 12A 70W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Макс. Rси вкл. | 0.75Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.58Ω |
| Рабочая температура перехода | 150°C |
| Zero gate voltage drain current | 25µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.79°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 58.0°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?