Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 50Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
176 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:176 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,70 |
| от 13 | 61,72 |
| от 25 | 57,98 |
| от 50 | 55,22 |
| от 100 | 52,69 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор от FUJI ELECTRIC с N-каналом. Рассчитан на напряжение 500 В, ток 12 А и мощность 50 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | 2SK3469-01MR |
| Технология | Super FAP-G Series |
| Корпус | TO-220F |
| Max avalanche energy | 217mJ |
| Импульсный ток стока | 48A |
| Gate drain charge max | 15nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Входная емкость макс. | 1800pF |
| Тип. входная емкость | 1200pF |
| Max avalanche current | 12A |
| Заряд затвора макс. | 45nC |
| Тип. заряд затвора | 30nC |
| Turn on rise time max | 23ns |
| Turn on rise time typ | 15ns |
| Gate source charge max | 16.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 11nC |
| Max drain source dv dt | 20kV/µs |
| Макс. выходная емкость | 210pF |
| Выходная емкость тип. | 140pF |
| Turn off fall time max | 11ns |
| Turn off fall time typ | 7ns |
| Время вкл. макс. | 26ns |
| Время задержки вкл. тип. | 17ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 51ns |
| Время задержки выкл. тип. | 34ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 12A |
| Max drain source voltage | 500V |
| Напр. диода макс. | 1.50V |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.00V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5kV/µs |
| Тип. время восст. | 0.7µs |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Max power dissipation ta25 | 2.16W |
| Max power dissipation tc25 | 50W |
| Тип. заряд восст. | 4.5µC |
| Forward transconductance max | 11S |
| Forward transconductance typ | 5.5S |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 12A 50W |
| Макс. Rси вкл. | 0.52Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.40Ω |
| Gate source leakage current max | 100nA |
| Gate source leakage current typ | 10nA |
| Reverse transfer capacitance max | 9.0pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 6.0pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.50°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 500V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 58.0°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25µA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?