Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15А 150Вт
У поставщика
ПроизводительHIT
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
35 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:35 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 217,25 |
| от 5 | 206,69 |
| от 9 | 196,74 |
| от 17 | 189,43 |
| от 30 | 182,71 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от производителя HIT. Компонент рассчитан на высокое рабочее напряжение и значительный ток, что позволяет использовать его в мощных импульсных источниках питания и преобразователях напряжения. Благодаря высокой рассеиваемой мощности подходит для ключевых каскадов и схем управления электродвигателями.
Технические характеристики
| Примечания | Pulsed measurements, Tc=25°C unless otherwise specified |
| Корпус | TO-3P |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 50ns |
| Время нарастания | 30ns |
| Размеры | 16.0mm x 5.0mm x 9.41mm |
| Описание | Silicon N-Channel MOS FET, High-Speed Power Switching |
| Артикул | 2SK3235 |
| Drain current | 15A |
| Лавинный ток | 15A |
| Заряд сток-затвор | 24nC |
| Вх. емкость | 1920pF |
| Полный заряд затвора | 48nC |
| Заряд затвор-исток | 10nC |
| Выходная емкость | 220pF |
| Время задержки включения | 35ns |
| Channel temperature | 150°C |
| Gate cutoff current | -0.1uA |
| Напряжение затвор-исток | -30V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 120ns |
| Drain cutoff current | 1uA |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 60A |
| Напр. диода | 0.85 to 1.3V |
| Reverse drain current | 15A |
| Время обратного восстановления | 500ns |
| Заряд обратного восстановления | 20uC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 8.5 to 14S |
| Channel power dissipation | 150W |
| Drain source on resistance | 0.3 to 0.4ohm |
| Gate source cutoff voltage | 3.0 to 4.0V |
| Pulsed reverse drain current | 60A |
| Обратная проходная емкость | 30pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 500V 15A 150W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Thermal resistance channel case | 0.833°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?