Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 50Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,10 |
| от 12 | 61,21 |
| от 23 | 57,56 |
| от 46 | 54,86 |
| от 92 | 52,38 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канала от FUJI ELECTRIC. Рассчитан на напряжение 600 В, ток до 10 А и мощность 50 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOS-FET |
| Серия | FAP-IIS |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Артикул | 2SK2761-01MR |
| Макс. время спада | 60ns |
| Тип. время спада | 40ns |
| Макс. время нарастания | 110ns |
| Тип. время нарастания | 70ns |
| Avalanche energy | 64.7mJ |
| Channel temperature | 150°C |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Avalanche capability | 10A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Импульсный ток стока | 36A |
| Входная емкость макс. | 1700pF |
| Тип. входная емкость | 1100pF |
| Макс. рас. мощн. | 50W |
| Время обратного восстановления | 500ns |
| Макс. выходная емкость | 260pF |
| Выходная емкость тип. | 170pF |
| Время вкл. макс. | 40ns |
| Время задержки вкл. тип. | 25ns |
| Заряд обратного восстановления | 6.5µC |
| Макс. время выключения | 120ns |
| Время задержки выкл. тип. | 75ns |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Continuous drain current | 10A |
| Диап. темп. хр. | -55 ~ +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 4.0V |
| Диап. раб. темп. | -55 ~ +150°C |
| Diode forward on voltage max | 1.5V |
| Diode forward on voltage typ | 1.0V |
| Forward transconductance min | 3S |
| Forward transconductance typ | 6S |
| Repetitive avalanche current | 10A |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600V 10A 50W |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Gate source leakage current max | 100nA |
| Gate source leakage current typ | 10nA |
| Reverse transfer capacitance max | 120pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 75pF |
| Thermal resistance channel to air | 62.5°C/W |
| Thermal resistance channel to case | 2.5°C/W |
| Drain source on state resistance max | 1.0Ω |
| Drain source on state resistance typ | 0.85Ω |
| Zero gate voltage drain current 25c max | 500µA |
| Zero gate voltage drain current 25c typ | 10µA |
| Zero gate voltage drain current 125c max | 1.0mA |
| Zero gate voltage drain current 125c typ | 0.2mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?