Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
69 шт.
Норм. уп.: 30
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1 477,83 ₽
Сумма1 477,83 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии69 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
от 2 — 1 423,83 ₽ (−4%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 477,83 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 822,17 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 1 477,83 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Renesas. Выдерживает напряжение до 160 В, ток до 7 А и мощность до 100 Вт. Выпускается в корпусе TO-3P для монтажа в отверстия. Применяется в низкочастотных и аудиоусилителях мощности.
Технические характеристики
| Масса | 5.0g |
| Цоколевка | 1: Gate, 2: Source (Flange), 3: Drain |
| Корпус | TO-3P |
| Особенности | Enhancement-mode, Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058, Gate protection diodes |
| Масса, тип. | 5.0g |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | P-канал |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | 15.6 x 9.91 x 5.45 mm |
| Технология | MOSFET |
| Описание | Silicon P Channel MOS FET, Low frequency power amplifier |
| Тип устройства | P-канальный MOSFET |
| Артикул | 2SJ162 |
| Применение | Low frequency power amplifier, Audio power amplifier |
| Производитель | Renesas |
| Код упаковки | PRSS0004ZE-A |
| Время включения | 230ns |
| Ток стока | -7A |
| Время выключения | 110ns |
| Режим обогащения | Да |
| Время включения тип. | 230ns |
| Макс. ток стока | -7A |
| Вх. емкость | 900pF |
| Время выкл. тип. | 110ns |
| Комплементарная пара | 2SK1058 |
| Выходная емкость | 400pF |
| Размеры упаковки | 15.6mm x 4.8mm (TO-3P) |
| Shipping container | Box (Tube) |
| Channel dissipation | 100W |
| Channel temperature | 150°C |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Номер для заказа | 2SJ162-E |
| Тип. входная емкость | 900pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100W |
| Gate protection diodes | Да |
| Напряжение затвор-исток | ±15V |
| Выходная емкость тип. | 400pF |
| Quantity per container | 360 pcs |
| Макс. температура канала | 150°C |
| Напряжение сток-исток | -160V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±15V |
| Макс. напряжение сток-исток | -160V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.45V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.15V |
| Прямая передаточная проводимость | 0.7 to 1.4S |
| Обратная проходная емкость | 40pF |
| Напряжение пробоя затвор-исток | ±15V |
| Gate to source cutoff voltage | -0.15 to -1.45V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -160V |
| Forward transfer admittance max | 1.4S |
| Forward transfer admittance min | 0.7S |
| Forward transfer admittance typ | 1.0S |
| Gate to source breakdown voltage | ±15V |
| Обр. проходная емкость тип. | 40pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -160V |
| Drain to source saturation voltage | -12V |
| Drain source saturation voltage max | -12V |
| Body to drain diode reverse drain current | -7A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?