Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
16 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:16 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 475,51 |
| от 2 | 455,33 |
| от 4 | 436,32 |
| от 8 | 422,36 |
| от 15 | 409,52 |
Технические характеристики
| Корпус | TO-3P |
| Особенности | Enhancement-mode, Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058, Gate protection diodes |
| Mass typ | 5.0g |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | P-channel |
| Технология | MOSFET |
| Тип устройства | P-Channel MOSFET |
| Применение | Low frequency power amplifier, Audio power amplifier |
| Производитель | Renesas |
| Время включения тип. | 230ns |
| Drain current max | -7A |
| Время выкл. тип. | 110ns |
| Размеры упаковки | 15.6mm x 4.8mm (TO-3P) |
| Тип. входная емкость | 900pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100W |
| Выходная емкость тип. | 400pF |
| Channel temperature max | 150°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±15V |
| Макс. напряжение сток-исток | -160V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.45V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.15V |
| Gate source breakdown voltage | ±15V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -160V |
| Forward transfer admittance max | 1.4S |
| Forward transfer admittance min | 0.7S |
| Forward transfer admittance typ | 1.0S |
| Обр. проходная емкость тип. | 40pF |
| Drain source saturation voltage max | -12V |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт